静電加速器を用いた窒素含有炭素中の結合改質
静電加速器を用いた窒素含有炭素中の結合改質
批准号:
10137219
负责人:
斎藤 秀俊
金额:
$1.15万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
中文摘要
窒素含有によって膜の原子間結合が強固になり膜の弾性率が大きくなるとの予想のもとに、窒素含有炭素膜の微細構造を求め、機械特性との比較を行ってきた。これまでの結果から予測できたことは、窒素含有により形成された=CH_2,-CH_3,=NH,-NH_2などの終端構造が硬さ値を下げることである。つまり、この終端構造を除去しない限り窒素含有炭素が真に高い弾性率を持つのか判断できない。そこで今年度の研究では、この終端構造の除去により膜が硬質化するのか確認を行った。具体的には、結合終端に関与している水素を取り除き、終端の結合回復を促進する。本研究では、水素除去を行うためにイオン照射法を採用した。イオン照射法のもつチャネリング現象を利用し膜の内部の水素を狙い、またはじき出し現象で水素のみを除去する。具体的には軽イオンであるHe^+イオンをイオン種として選択した。He^+イオンは本学極限エネルギー施設のタンデム型静電加速器を用いて加速され、あらかじめ作製した窒素含有炭素膜に照射される。照射前後の膜の分光学的解析結果ならびに機械特性を評価した。He^+イオンの照射個所の超微小押込み硬さ値を得た結果、イオンビーム照射前では、膜の押込み硬さ値は1.6GPaであったのに対し、60分間のイオンビーム照射後には硬さ値は5.2GPaに達した。またイオンビーム照射時間とともにCH_2およびCH_3の結合数の減少と硬さ値の増加に相関関係があることがわかった。すなわち、He^+イオンビーム照射により水素脱離が生じ、それにより形成された複数のダングリングボンドが新たなネットワーク結合形成を起こすのである。
英文摘要
窒素含有によって膜の原子間結合が強固になり膜の弾性率が大きくなるとの予想のもとに、窒素含有炭素膜の微細構造を求め、機械特性との比較を行ってきた。これまでの結果から予測できたことは、窒素含有により形成された=CH_2,-CH_3,=NH,-NH_2などの終端構造が硬さ値を下げることである。つまり、この終端構造を除去しない限り窒素含有炭素が真に高い弾性率を持つのか判断できない。そこで今年度の研究では、この終端構造の除去により膜が硬質化するのか確認を行った。具体的には、結合終端に関与している水素を取り除き、終端の結合回復を促進する。本研究では、水素除去を行うためにイオン照射法を採用した。イオン照射法のもつチャネリング現象を利用し膜の内部の水素を狙い、またはじき出し現象で水素のみを除去する。具体的には軽イオンであるHe^+イオンをイオン種として選択した。He^+イオンは本学極限エネルギー施設のタンデム型静電加速器を用いて加速され、あらかじめ作製した窒素含有炭素膜に照射される。照射前後の膜の分光学的解析結果ならびに機械特性を評価した。He^+イオンの照射個所の超微小押込み硬さ値を得た結果、イオンビーム照射前では、膜の押込み硬さ値は1.6GPaであったのに対し、60分間のイオンビーム照射後には硬さ値は5.2GPaに達した。またイオンビーム照射時間とともにCH_2およびCH_3の結合数の減少と硬さ値の増加に相関関係があることがわかった。すなわち、He^+イオンビーム照射により水素脱離が生じ、それにより形成された複数のダングリングボンドが新たなネットワーク結合形成を起こすのである。
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会议论文
アモルファス炭素系薄膜の科学
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批准号:16636019
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
大過剰賦活剤ドープ酸化物蛍光体の薄膜プロセス
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批准号:14655269
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2002
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
紫外領域における支配的なセラミックス励起子発光
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批准号:02F00371
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2002
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
アナターゼナノメッシュの光誘起電力
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批准号:13875137
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2001
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
ターボ符号を用いた超高密度記録のためのディジタル信号処理方式の研究
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批准号:12750339
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
強誘電体メモリのマイクロアーキテクチャー
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批准号:11875143
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
高符号化率符号を用いたディジタル磁気記録の研究
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批准号:09750422
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1997
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
酸化物膜の高速エピタキャル成長プロセス
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批准号:09750808
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
エキシマレーザー支援による金属錯体から多元素酸化物への直接反応
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批准号:08750852
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1996
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
ダイヤモンドの高速エピタキシャル成長とレーザーフォトルミネセンスによる品質評価
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批准号:07750782
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
新超硬化合物菱面体B_4Nの基礎特性
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批准号:05855104
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1993
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
海外基金