紫外領域における支配的なセラミックス励起子発光
紫外区域的主要陶瓷激子发射
基本信息
- 批准号:02F00371
- 负责人:
- 金额:$ 1.28万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2003
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
酸化亜鉛ウイスカーから得られる強力な紫外線発光の分析を行うために低温フォトルミネセンスを測定した。その結果、酸化亜鉛ウイスカーは束縛エネノレギーが数十eVであるバンド端遷移に伴う発光とドナー束縛励起子の再結合による発光を持つことを見出した。わずかな不純物の添加により急激な紫外線発光の強度減衰が確認された。酸化イットリウムウイスカーから得られる強力な可視発光の分析を行うために低温フォトルミネセンスを測定した。その結果、ユウロピウム添加酸化イットリウムウイスカーとテルビウム添加酸化イットリウムウイスカー低温よりもむしろ高温において発光強度が増大することをみいだした。以上のウイスカーからの発光を解析することにより、酸化亜鉛ウイスカーは結晶欠陥が極めて少ない完全結晶に近い位置にいることがわかり、酸化イットリウムウイスカーでは比較的酸素欠損量が多く、大気暴露によって数十時間でそのような欠損が増加することがわかった。そのような酸素欠損は白色発光を生じ、高温フォトルミネセンス測定中に酸化されて白色発行を消失するという現象も見出した。
Analysis of high intensity ultraviolet light emission from acidified lead As a result, acidification leads to the discovery of light emission and light emission from binding excitation. The addition of impurities and the intensity attenuation of UV emission are confirmed. Acidification is a very important factor in the determination of visible luminescence. As a result, it is possible to increase the intensity of light emission at low temperatures and high temperatures. The light emission analysis of the above products shows that the acid deficiency of the acid is more than that of the acid deficiency of the acid deficiency. The phenomenon of white light emission due to acid deficiency and disappearance due to high temperature oxidation was observed.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Najafov, Y.Fukada, S.Ohshio, S.Iida, H.Saitoh: "Luminescence properties of ZnO whiskers obtained by CVD method"Japanese Journal of Applied Physics. (in press).
H.Najafov、Y.Fukada、S.Ohshio、S.Iida、H.Saitoh:“CVD法获得的ZnO晶须的发光特性”日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Najafov, Y.Satoh, S.Ohshio, S.Iida, H.Saitoh: "Luminescence properties of CVD deposited Y_2O_3:Tm^<3+> whiskers"Japanese Journal of Applied Physics. (in press).
H.Najafov、Y.Satoh、S.Ohshio、S.Iida、H.Saitoh:“CVD 沉积的 Y_2O_3:Tm^<3> 晶须的发光特性”日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
斎藤 秀俊其他文献
P2X4細胞外ドメイン認識抗体の蛍光ゲル濾過によるスクリーニング系の確立
P2X4胞外域识别抗体荧光凝胶过滤筛选体系的建立
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
永井 咲妃;白石 充典;井川 達弘;斎藤 秀俊; 山下 智大;田中 宏幸;津田 誠;井上 和秀; 阿部 義人;植田 正 - 通讯作者:
植田 正
斎藤 秀俊的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('斎藤 秀俊', 18)}}的其他基金
アモルファス炭素系薄膜の科学
无定形碳基薄膜科学
- 批准号:
16636019 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
大過剰賦活剤ドープ酸化物蛍光体の薄膜プロセス
大过量活化剂掺杂氧化物荧光粉薄膜工艺
- 批准号:
14655269 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
アナターゼナノメッシュの光誘起電力
锐钛矿纳米网的光诱导能力
- 批准号:
13875137 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ターボ符号を用いた超高密度記録のためのディジタル信号処理方式の研究
Turbo码超高密度记录数字信号处理方法研究
- 批准号:
12750339 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
強誘電体メモリのマイクロアーキテクチャー
铁电存储器的微结构
- 批准号:
11875143 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
静電加速器を用いた窒素含有炭素中の結合改質
使用静电加速器对含氮碳进行耦合改性
- 批准号:
10137219 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
高符号化率符号を用いたディジタル磁気記録の研究
高编码率数字磁记录研究
- 批准号:
09750422 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
酸化物膜の高速エピタキャル成長プロセス
氧化膜的快速外延生长过程
- 批准号:
09750808 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
エキシマレーザー支援による金属錯体から多元素酸化物への直接反応
准分子激光辅助金属配合物与多元素氧化物的直接反应
- 批准号:
08750852 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ダイヤモンドの高速エピタキシャル成長とレーザーフォトルミネセンスによる品質評価
金刚石的高速外延生长和激光光致发光质量评价
- 批准号:
07750782 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
紫外フォトルミネッセンス単一ナノ粒子分光の自動化による粒子特性の統計情報取得
通过自动紫外光致发光单纳米颗粒光谱获得颗粒特性的统计信息
- 批准号:
24K08205 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Crystal chemistry of phmtoluminscent multi-metal complexes based on their elastic molecular frameworks under extreme pressure conditions
极压条件下基于弹性分子骨架的光致发光多金属配合物的晶体化学
- 批准号:
22K05147 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明
完整阐明下一代功率半导体 β-Ga2O3 的固有缺陷水平
- 批准号:
22K04206 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
III-V族半导体量子点网络结构的创建及其在量子器件中的应用
- 批准号:
22K04196 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
窒化物光デバイスの高効率化に向けた光電子・発光融合分光分析の創製
创建光电/发光组合光谱以提高氮化物光学器件的效率
- 批准号:
22K14614 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
A study of the activation mechanism of implanted impurities and control of point defect in group III nitrides
III族氮化物注入杂质激活机制及点缺陷控制研究
- 批准号:
21H01826 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of quantum-dot-dispersed semiconductor films by the single process using mist CVD
使用雾气CVD单一工艺制造量子点分散半导体薄膜
- 批准号:
21K04154 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Photo-excitation process of single semiconductor nano-particle
单个半导体纳米粒子的光激发过程
- 批准号:
21K04810 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of heavy-metal-free quantum dot light emitting diodes with tunable emission properties in a broad wavelength range
开发在宽波长范围内具有可调发射特性的无重金属量子点发光二极管
- 批准号:
21H01910 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Growth of one-dimensional atomic layer semiconductor and its optoelectronic properties
一维原子层半导体的生长及其光电性能
- 批准号:
21K14497 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.28万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists