強誘電体メモリのマイクロアーキテクチャー

铁电存储器的微结构

• 批准号: 11875143
• 负责人: 斎藤 秀俊
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11875143/
• 关键词: エピタキシー; コンポジット; ウイスカー; ZnO; 誘電体; CVD; SEM; X線回折

大気開放型化学気相析出(CVD)法において、原料にZn(C_5H_7O_2)_2を用いて、エピタキシャル成長基板上にZnO結晶を成長させると、基板から垂直に成長したエピタキシャルウイスカーとなる。本研究では、BaTiO_3などの強誘電体エピタキシャルウイスカーを作製し、樹脂によりウイスカーを垂直に固定して、強誘電体特性を得ることを目的とした。BaTiO_3エピタキシャルウイスカーは得られなかったものの、二金属酸化物としてアルミニウムをドープしたAl:ZnOウイスカーとZnOウイスカー先端からMgOウイスカーが成長するZnO-MgOへテロウイスカーを得た。条件の最適化によってBaTiO_3もられる可能性は未だ残っている。次にZnOエピタキシャルウイスカーをPMMAおよび熱硬化性シリコーン(ポリシルセスキオキサン)によって垂直成長状態で包埋した。ZnOウィスカー群は平均長さ35μm、直径1.8μm、数密度5x10^4mm^<-2>である。熱硬化性シリコーンを用いた場合には、ウイスカーをほぼ倒すことなく樹脂に包埋することができた。走査型電子顕微鏡法による断面観察およびX線ロッキングカーブ法による結果がそれを証明している。一方包埋材にPMMAを用いた場合にはPMMA濃度によって包埋特性が変わった。PMMAはウイスカーに流し込む前にアセトンに溶かされて溶液状態になっており、アセトンの蒸発に伴ってPMMAが固化するのである。濃度が比較的低い場合には、ウイスカーが倒れることはなかったが、濃度が高くなるにつれてウイスカーが倒れる現象を確認した。包埋に成功したウイスカーコンポジットについて誘電率を測定した結果、マトリックスの誘電率とあまり変化のないことがわかった。

Large-scale open-type chemical phase precipitation (CVD) method, raw material Zn (C_5H_7O_2) _ 2 is used to grow the ZnO crystal on the substrate, the substrate grows vertically, the substrate grows vertically. In this study, BaTiO_3 devices are used to improve the performance of electronic devices, and the properties of these devices are sensitive to the performance of the devices. The BaTiO_3, the dimetallic acid, the Al:ZnO, the ZnO, the MgO, the growth, the growth, the growth, The condition "optimizes" and "Batio _ 3" probability is not "residual". In the second ZnO, there is an increase in the number of sclerosing particles in the form of PMMA, which is perpendicular to the elongation. The average length of ZnO is 35 μ m, the diameter is 1.8 μ m, and the numerical density is 5x10 ^ 4mm ^ & lt;-2>. The sclerosing agent was used to wrap the fat in the body. The scanning electron micrometer method is used to monitor the cross-section of the computer. The results show that the test results show that the temperature is low. One side of the embedded material "PMMA" is used to measure the degree of PMMA and the embedding properties. PMMA was used to dissolve the solution in the first place. The solution was steamed with PMMA. The temperature is low, and the temperature is high. The results of the determination of the electricity rate and the results of the measurement of the electricity rate were embedded. The results of the test results and the results of the determination of the electricity rate were analyzed in detail.