权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

レーザーアブレーションプラズマ制御法による可視光活性・酸化チタン系光触媒の創成

利用激光烧蚀等离子体控制方法制备可见光活性氧化钛光催化剂

基本信息

批准号：
14658130
负责人：
門田清
金额：
$ 2.18万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は(1)Tiターゲットのレーザーアブレーションを行うことにより生成される各種活性種の気相における時間的・空間的な挙動。(2)Tiターゲットに対向して置かれた基盤上に作製されたTiO_2膜の特性の、基板温度、気相条件に対する依存性の2点について研究を行った。(1)酸素雰囲気中でTiターゲットをレーザーアブレーションすることにより生成されたTi、Ti^+、TiO密度の時間的・空間的挙動を2次元レーザー誘起蛍光法による可視化診断した。その結果から、酸素雰囲気中ではTiの生成機構がTi^+と電子の再結合だけでなく、Ti^+の酸化反応生成物であるTiO^+からの解離性再結合反応があることが分かった。また、Ti^+の酸化反応が非常に早いこと、TiOの酸化反応がTiの酸化反応よりも早く、プルーム内のTiOラジカルの生成が気相における反応からではなく、アブレーションによって酸化されたターゲットから生成されているものが支配的であることが分かった。(2)酸素ガス圧0.05から0.1Torrにおいて、200から250℃の低基板温度におけるアナターゼ型TiO2膜の成膜に成功した。作製した薄膜をXRD分析したところ、ガス圧0.05Torr、基板温度200℃においてアナターゼ(101)の鋭いピークがみられた。また、同じガス圧においても基板温度を400℃に加熱して成膜することにより、アナターゼ(101)のピークは見えなくなり、代わりにアナターゼ(004)のピークが大きくなることが分かった。このことから、本成膜法では基板の温度を制御することにより、膜の配向制御を行える可能性があることが分かった。

This year (1)Ti needs to change the color of the film, the color of the film. (2)Ti The dependence of TiO_2 film properties on substrate temperature and phase conditions was studied. (1)Ti, Ti^+, TiO density, time, space, time, time As a result, the mechanism of Ti formation is Ti^+ electron recombination, Ti^+ acid reaction product is TiO^+ dissociation recombination reaction. TiO_2 and TiO_2 are very important for the production of TiO_2 and TiO_2. (2)The film formation of TiO2 film was successful at low substrate temperature of 0.05 ~ 0.1Torr, 200 ~ 250℃. XRD analysis of thin films prepared at temperatures of 0.05 Torr and 200℃The temperature of the substrate is 400℃. The film is formed by heating the substrate to 400℃. This film formation method has the possibility of controlling the temperature of the substrate and the alignment of the film.