半導体中に光励起された熱い電子系のエネルギー緩和
半導体中に光励起された熱い電子系のエネルギー緩和
批准号:
57460027
负责人:
大山 忠司
金额:
$4.93万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1982
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1982 至 1983
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会议论文
高温超伝導体におけるネルンスト効果と磁気プラズマ共鳴吸収に関する研究
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批准号:10142207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:大山 忠司
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依托单位:
光検知サイクロトロン共鳴による結晶界面の基礎物性の研究
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批准号:03216210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1991
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负责人:大山 忠司
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依托单位:
光検知サイクロトロン芝鳴による結晶界面の基礎物性の研究
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批准号:02232220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1990
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负责人:大山 忠司
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依托单位:
光検知サイクロトロン共鳴による結晶界面の基礎物性
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批准号:01650519
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1989
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负责人:大山 忠司
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依托单位: