光検知サイクロトロン共鳴による結晶界面の基礎物性の研究

利用光电探测回旋共振研究晶体界面的基本物理性质

基本信息

  • 批准号:
    03216210
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は次のような界面を含む系に取り組んだ。1)Nisi_2/Si系の輸送現象の解析と界面近傍の電子のサイクロトロン共鳴2)多孔質Siにおける可視光域フォトルミネッセンス1)ニッケル・シリサイドの輸送現象とサイクロトロン共鳴ニッケル・シリサイドのDC輸送現象で観測された200K近傍の“anomaly"の原因を解明するために、基板のシリコンの不純物濃度や基板の厚さを変化させて,抵抗の温度変化を測定した。異常の観測される試料の基板のSiの厚さを半分にして、基板の抵抗を大きくすると“anomaly"の度合いが半減することが確認された。 これらの実験結果から、NiSi_2/Si系のDC輸送現象で観測される異常は、シリサイドと半導体の両層による平行伝導に起因する可能性が高い。そこで平行伝導に関するショットキー障壁の効果を求めるために、縦方向の抵抗の温度変化を測定した。 IーV特性から求めた障壁の高さφ=0.35eVを用いて、平行伝導の温度依存性および基板の抵抗値依存性に関するシミュレ-ションを行い、実験結果をよく再現できることが判明した。また、NiSi_2/Si系の界面の電子移動度に及ぼす影響を調べるために選択的な励起の下でのサイクロトロン共鳴の実験を行った。2)多孔質Siからの可視光域フォトルミネッセンス陽極化成法で作製した多孔質SiをHeーCdレ-ザ-で励起してフォトミネッセンスの試料作製条件依存性および温度依存性を観測した。室温では赤色、77Kでは橙色の可視発光が観測された。発光の機構はまだ明かではないが、細い柱状の結晶内に閉じ込められた電子系の量子効果や、界面に結合した水素原子の関与する発光の可能性が高い。
This year, the interface is divided into two groups. 1) Analysis of transport phenomena in Nisi_2/Si system and electron resonance near the interface 2) Visible optical domain in porous Si 1) Measurement of DC transport phenomena in Nisi_2/Si system and electron resonance near the interface 200K Resistance to temperature changes is measured. The thickness of Si in the test sample was reduced by half, and the resistance of the substrate was increased by half. The results show that the possibility of the parallel conduction between NiSi2/Si and semiconductor layers is high. The temperature variation of resistance in the direction of parallel conduction is determined. I/V characteristics are determined by the height of the barrier φ=0.35eV, the temperature dependence of the parallel conduction and the resistance dependence of the substrate. The electron mobility of NiSi_2/Si system interface and its influence on the resonance under selective excitation 2)The dependence of porous Si on the visible light domain and the temperature dependence of porous Si prepared by anodization method were measured. Room temperature red, 77K orange and visible light detection. The mechanism of light emission has a high possibility of light emission due to the combination of quantum effect of electron system and interface of water atom in thin columnar crystals.

项目成果

期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Tomaru: "Optically detected cyclotron resonance in Ge and Si ーExchange interaction in impact dissociationー" Applied Magnetic Resonance. 2. 379-395 (1991)
T. Tomaru:“光学检测到的 Ge 和 Si 中的回旋共振 - 碰撞解离中的交换相互作用 -” 应用磁共振。 2. 379-395 (1991)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Tomaru: "Enhancement of harmonics for optically detected lightー and heavyーhole cyclotron resonance in germanium" Physical Review. B44. 10622-10632 (1991)
T. Tomaru:“光学检测的光和重孔回旋加速器共振的谐波增强”物理评论 B44(1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Tomaru: "Wave number distribution of hot holes under the cyclotron resonance codition" Proc.7th conf.hot carriers semicond.,(Nara,1991).
T.Tomaru:“回旋共振条件下热空穴的波数分布”Proc.7th conf.hot Carrier semicond.,(Nara,1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Ohyama: "Microwave Study of Electron Scattering by Isolated Interstitial Oxygen Complex in Silicon" Japanese Journal of Applied Physics.
T.Ohyama:“硅中孤立间隙氧复合物电子散射的微波研究”日本应用物理学杂志。
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  • 发表时间:
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  • 作者:
  • 通讯作者:
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