(AlGa)As超格子の混晶化の制御による多次元超格子の研究
控制(AlGa)As超晶格混合结晶的多维超晶格研究
基本信息
- 批准号:62460116
- 负责人:
- 金额:$ 4.67万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
- 财政年份:1987
- 资助国家:日本
- 起止时间:1987 至 1989
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
(AlGa)As超格子の混晶化を利用した超格子多次元化の方法として、混晶化促進物質(本研究ではSi)と混晶化抑制物質(本研究ではBe)の併用により急峻な超格子-混晶化領域の境界が得られることがわかった。混晶化抑制部分にBeをストライプ状に蒸着し、その上にマスクを付けてSiの選択イオン注入を行ない、Be拡散部分とSi注入部分を分離して、ストライプ状の超格子部分と混晶化部分の分離ができることがわかった。Be蒸着量は、混晶化抑制条件から1×10^<15>cm^<-2>必要であるが、熱処理によるBeの拡散で超格子結晶の劣化が心配される。フォトルミネッセンス(PL)測定の結果、Be蒸着後800℃、1.5時間の熱処理でもPLの劣化は認められなかった。表面約1000A以内の超格子は不純物拡散によっても混晶化しないことがわかり、これは表面で超格子のパタ-ン化を行なう場合重要な問題である。この原因は、混晶化において重要な働きをしているGa空格子の濃度が、表面におけるフェルミレベルのピン止めによって十分大きくならないため表面でAlとGaの相互拡散が十分行なわれていないことによる。したがって、混晶化を用いた超格子の多次元化は、表面から少なくとも1000A以上離れた場所に埋め込んで行なう必要があることがわかった。イオンビ-ムによる微細加工と表面空乏層を利用してGaAs量子細線を作製し、磁気抵抗のゆらぎおよびシュブニコフ・ドハ-ス振動の観測から、電気伝導機構にエッジ状態の考え方を導入して磁場による電気伝導機構の変化が説明できることを示した。
(AlGa) As superlattice "mixed crystallization" uses the method of superlattice multiple crystallization (Si), the inhibitor of mixed crystallization (Be), and the boundary of the field of superlattice-mixed crystallization. The suppression part of the mixed crystallization is steamed, the Si is selected to be injected into the line, the scattered part of the Be is separated from the Si injection part, and the superlattice part is separated from the superlattice part of the mixed crystallization part. Be evaporation capacity, mixed crystallization inhibition condition 1 × 10 ^ & lt;15> cm ^ & lt;-2> necessary to test, analyze and analyze the Be dispersion superlattice structure and the deterioration of the core matching temperature. The results of PL test were tested. After Be was steamed, the PL was degraded at 800C for 1.5 hours. Within 1000A of the surface, the superlattices do not need to be dispersed or mixed crystallized. The superlattices and the superlattices on the surface are very important. Cause, mixed crystallization, critical temperature, Ga space grid temperature, surface temperature, temperature It is necessary to use the superlattice, the superlattice, the surface, the surface, the temperature, the temperature and the temperature. The vacuum on the surface of the micro-machining equipment is based on the use of the GaAs quantum wire, the magnetic resistance, the vibration, the electronic guidance, and the magnetic field, and the electronic guidance organ is registered in the magnetic field, the electronic and electronic authority.
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.KAWABE: Nuclear Instruments and Methodsin Physics Research. B24. (1988)
M.KAWABE:物理研究中的核仪器和方法。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.KAWABE: "Lateral Control of Impurity-Induced Disordering of AlAs/GaAs Superlattice" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. B39. 441-444 (1989)
M.KAWABE:“AlAs/GaAs 超晶格杂质诱导无序的横向控制”物理研究中的核仪器和方法 B. B39。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Ogawa: "Fermi Level Effects on Compositional Disordering of AlAs/GaAs Superlattice" Japanese Journal of Applied Physics.
K.Okawa:“费米能级对 AlAs/GaAs 超晶格成分无序的影响”日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.KAWABE: "Anisotropic Lateral Growth of GaAs by Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L1077-L1079 (1989)
M.KAWABE:“通过分子束外延实现 GaAs 的各向异性横向生长”日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Ochiai: "Time Dependent Resistance Changes in Narrow AlGaAs-GaAs Wire" Superlattices and Microstructures. 6. 337-340 (1989)
Y.Ochiai:“窄 AlGaAs-GaAs 线中随时间变化的电阻变化”超晶格和微结构。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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川辺 光央其他文献
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$ 4.67万 - 项目类别:
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