半導体結晶の液相エピタキシャル成長のその場観察
半导体晶体液相外延生长的原位观察
基本信息
- 批准号:63460203
- 负责人:
- 金额:$ 2.69万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
- 财政年份:1988
- 资助国家:日本
- 起止时间:1988 至 1989
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
半導体には固有のバンドキャップがあり、このエネルギ-より小さな光に対しては透明になる。従って、この性質を利用すれば半導体の融液及び融液成長過程が観察できるものと考えられる。本研究ではこのような観点から近赤外〜赤外を観察光とした反射型顕微鏡システムを試作し、GaPのGaの中への溶解、P飽和Gaからの成長過程のその場観察に適用し、以下の様な結論を得た。(1)基板結晶の底部側から透過させ、Gaとの界面で反射させるシステムにより、界面形態の変化を〜1umの分解態で捉えることができた(2)溶解過程は、転位を中心としたピットの形成、拡大という形で進行し溶解時にも明確な(マクロ)ステップが形成される。(3)成長過程では溶解時のピット中心は必ずしも、ヒルロックの中心にならず、(111)基板ではむしろステップのバンチングからマクロステップへの移行という界面の不安定化が極めて生じ易いことが認められた。(4)界面の不安定化は、ステップ冷却法よりも徐冷法において著しく拡散律速に基いた成長速度ではステップ冷却法は徐冷法の数倍の速度でも不安定化は明瞭ではなかった。(5)マクロステップは、上記のように溶解過程においても明確に認められるところから、この問題は不純物、介在物の取り込みではなく、ファセット生成傾向の強い結晶の界面形態の安定性に関わる問題と考えられる。(6)GaP上へのGaAsPの結晶の成長に対しても、本手法による観察は可能であった。
Semiconductor に は inherent の バ ン ド キ ャ ッ プ が あ り, こ の エ ネ ル ギ - よ り small さ な light に し seaborne て は transparent に な る. 従 っ て, こ の nature を USES す れ ば semiconductor の melt fluid and び liquid growth が 観 examine で き る も の と exam え ら れ る. This study で は こ の よ う な 観 point か ら nearly bare outside ~ red outside を 観 ChaGuang と し た reflective 顕 micromirror シ ス テ ム を attempt し, GaP の Ga の へ の dissolved, P saturation Ga か ら の grow の そ の field 観 し に apply, the following の others な conclusion を た. (1) substrate side at the bottom of the crystallization の か ら through さ せ, Ga と で の interface reflection さ せ る シ ス テ ム に よ り, interface morphology の variations change を ~ 1 um の decomposition state で catch え る こ と が で き た は (2) dissolution process, planning a を center と し た ピ ッ ト の formation, large company と い う form で during し dissolve に も clear な (マ ク ロ) ス テ ッ プ が form さ れ Youdaoplaceholder0. (3) growth で は dissolving の ピ ッ は ト center will ず し も, ヒ ル ロ ッ ク の center に な ら ず, (111) substrate で は む し ろ ス テ ッ プ の バ ン チ ン グ か ら マ ク ロ ス テ ッ プ へ の transitional と い う interface の not stabilization が extremely め て raw じ easy い こ と が recognize め ら れ た. (4) interface の unrest は, ス テ ッ プ cooling よ り も xu cold に お い て in し く company spread law of speed に base い た growth で は ス テ ッ プ cooling method は xu cold method several times の の speed で も not stabilization は clear で は な か っ た. (5) マ ク ロ ス テ ッ プ は, written の よ う に dissolving process に お い て も に clearly recognize め ら れ る と こ ろ か ら, こ の problem は impurity content, medium in の take り 込 み で は な く, フ ァ セ ッ ト generate strong tendency の い crystalline form の の interface stability に masato わ る problem と exam え ら れ る. (6) On GaP, へ <s:1> GaAsP <s:1> crystallization <e:1> growth に vs. て て, and this technique による観 examines possible であった.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Inatomi/K.Kuribayashi: Proc 9th Int.Conf.Crystal Growth. (1989)
Y.Inatomi/K.Kuribayashi:Proc 9th Int.Conf.Crystal Growth。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Inatomi/K.Kuribayashi: JASMAC-4(日本マイクログラビティ応用学会第四回学術講演会). 18 (1988)
Y.Inatomi/K.Kuribayashi:JASMAC-4(日本微重力应用学会第四届学术会议)18(1988)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
栗林一彦: "化合物半導体の溶解・成長のその場観察" 第6回宇宙利用シンポジウム(7月、1989年、東京). 405-408 (1989)
Kazuhiko Kuribayashi:“化合物半导体溶解和生长的原位观察”第六届空间利用研讨会(1989 年 7 月,东京)405-408(1989 年)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Kuribayashi: Proc 9th Int.Conf.Crystal Growth. (1989)
K.Kuribayashi:Proc 9th Int.Conf.Crystal Growth。
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Inatomi and K.Kuribayashi: "DIRECT OBSERVATION OF LPE GROWTH IN GaP" 9th Int.Conf.on Crystal Growth.Sendai,Aug 1989 Joural Crystal Growth. (1989)
Y.Inatomi 和 K.Kuribayashi:“GaP 中 LPE 生长的直接观察”第 9 届 Int.Conf.on 晶体生长。仙台,1989 年 8 月期刊晶体生长。
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