P, n制御したGD-アモルファス・シリコンの電気的・光学的性質とその応用
P, n制御したGD-アモルファス・シリコンの電気的・光学的性質とその応用
批准号:
X00080----346053
负责人:
仁田 昌二
金额:
$5.95万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1978
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1978 至 1979
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究
-
批准号:02650009
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:1990
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良
-
批准号:63550232
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1988
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGda-Si作成方法, その物性と応用についての検討
-
批准号:57104008
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.56万
-
财政年份:1982
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いた Gda-Si 作成方法, その物性と応用についての検討
-
批准号:56211026
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.88万
-
财政年份:1981
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGDa-Si作成方法, その物性と応用についての検討
-
批准号:X00040----521529
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.82万
-
财政年份:1980
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
ボイド・フリーな非晶質シリコンの電子状態の研究
-
批准号:X00040----020218
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.11万
-
财政年份:1975
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位:
金属-絶縁薄膜-非晶質半導体系のトンネル効果に関する研究
-
批准号:X46210------5143
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.12万
-
财政年份:1971
-
负责人:仁田 昌二
-
依托单位: