PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究

以下の結果を得た;[1]。O_2とCF_4を用いたプラズマエッチング装置を設計製作した。(油回転ポンプ、ピラニ真空計)[2]。既設の装置にマイコン系とデジタルマルチメタ-を加えてPLAS測定系を確立した。[3]。aーSi_3N_4またはaーSiO_2で挟んだアモルファスシリコンの光導波路構造を持つPLAS用試料を作製し、PLAS信号を検出することに成功した。その結果摩aーsi:Hと絶縁薄膜との界面に基ずく界面吸収を観測することが出来た。aーSi:H薄膜に100Aの絶縁薄膜を挿入するとそれに比例した界面吸収が増加することも確認出来た。aーS_3N_4と比較したaーSiO_2との界面のほうが界面欠陥を作りやすいことが分かった。さらに水素放電を使って界面を原子状水素で洗うと、界面欠陥が減少し、より良質な界面が得られることが分かった。[4]。アモルファス超格子、ランダムアモルファス超格子に関しては、その古典的光の局在をきめるパラメ-タ-について実験し、スケ-リングをはじめ、いくつかの知見を得ることが出来た。さらにシミュレ-ションに成功した。[5]。超格子の電気伝導について非線型伝導を見いだした。

以下の結果を得た;[1]。O_2とCF_4を用いたプラズマエッチング装置を設計製作した。(油回転ポンプ、ピラニ真空計)[2]。既設の装置にマイコン系とデジタルマルチメタ-を加えてPLAS測定系を確立した。[3]。aーSi_3N_4またはaーSiO_2で挟んだアモルファスシリコンの光導波路構造を持つPLAS用試料を作製し、PLAS信号を検出することに成功した。その結果摩aーsi:Hと絶縁薄膜との界面に基ずく界面吸収を観測することが出来た。aーSi:H薄膜に100Aの絶縁薄膜を挿入するとそれに比例した界面吸収が増加することも確認出来た。aーS_3N_4と比較したaーSiO_2との界面のほうが界面欠陥を作りやすいことが分かった。さらに水素放電を使って界面を原子状水素で洗うと、界面欠陥が減少し、より良質な界面が得られることが分かった。[4]。アモルファス超格子、ランダムアモルファス超格子に関しては、その古典的光の局在をきめるパラメ-タ-について実験し、スケ-リングをはじめ、いくつかの知見を得ることが出来た。さらにシミュレ-ションに成功した。[5]。超格子の電気伝導について非線型伝導を見いだした。