PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究

利用PLAS法研究非晶半导体超晶格薄膜平面方向的光学特性

• 批准号: 02650009
• 负责人: 仁田 昌二
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Gifu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650009/
• 关键词: PLAS法; 低エネルギ光吸収; aーSi:H; aーSi_3N_4; aーSiO_2; 界面欠陥; 原子状水素; 光ルミネッセンス

以下の結果を得た;[1]。O_2とCF_4を用いたプラズマエッチング装置を設計製作した。(油回転ポンプ、ピラニ真空計)[2]。既設の装置にマイコン系とデジタルマルチメタ-を加えてPLAS測定系を確立した。[3]。aーSi_3N_4またはaーSiO_2で挟んだアモルファスシリコンの光導波路構造を持つPLAS用試料を作製し、PLAS信号を検出することに成功した。その結果摩aーsi:Hと絶縁薄膜との界面に基ずく界面吸収を観測することが出来た。aーSi:H薄膜に100Aの絶縁薄膜を挿入するとそれに比例した界面吸収が増加することも確認出来た。aーS_3N_4と比較したaーSiO_2との界面のほうが界面欠陥を作りやすいことが分かった。さらに水素放電を使って界面を原子状水素で洗うと、界面欠陥が減少し、より良質な界面が得られることが分かった。[4]。アモルファス超格子、ランダムアモルファス超格子に関しては、その古典的光の局在をきめるパラメ-タ-について実験し、スケ-リングをはじめ、いくつかの知見を得ることが出来た。さらにシミュレ-ションに成功した。[5]。超格子の電気伝導について非線型伝導を見いだした。

The following results were obtained: [1] O_2 and CF_4 are used to design and manufacture equipment. (Oil return pressure, pressure gauge)[2]. Set up a system to determine whether or not the system is working properly. [3]。The optical waveguide structure of Si_3N_4 and SiO_2 was successfully prepared by using PLAS sample and detecting PLAS signal. As a result, the interface between the insulating film and the substrate is detected. A: The absorption ratio of the insulating film is determined. A comparison between S_3N_4 and SiO_2 shows that the interface is incomplete. The water element in the interface is atomic, the interface is poor, and the interface is good. [4]。The classical light of the game is in the middle of the game. The game is in the middle of the game. This year's event was a success. [5]。Superlattice electrical conduction is not linear conduction.

项目成果

宮島.向井.野々村.仁田: "PLAS法によるaーSi:H/aーSi_3N_4:H界面の検討" 応用物理学会講演会(1991.3.28ー31). 29TS5 (1991)

Miyajima、Mukai、Nonomura、Nita：“通过 PLAS 方法研究 a-Si:H/a-Si_3N_4:H 界面”应用物理学会讲座（1991 年 3 月 28-31 日）29TS5 (1991)。

S.Nitta,T.Furukawa,K.Ogawa,T.Itoh and S.Nonomura: "Optical reflectance spectra of amorphous random multilayers and the classical localization of light." Proc.7th Int.Conf.on Vapour Growth and Epitaxy. (1991)

S.Nitta、T.Furukawa、K.Okawa、T.Itoh 和 S.Nonomura：“非晶随机多层膜的光学反射光谱和光的经典定位。”

宮島.向井.野々村.仁田: "PLAS法とEAによるaーSi:H/aーSi_3N_4:H界面評価" 1990年秋.日本物理学会学術講演会. 40D3 (1990)

Miyajima、Mukai、Nonomura、Nita：“通过 PLAS 方法和 EA 评估 A-Si:H/a-Si_3N_4:H 界面”，1990 年秋季。日本物理学会学术会议 40D3 (1990)。

S.Nitta,T.Furukawa,T.Itoh and S.Nonomura: "Optical properties of random multilayers of amorphous aーSi:H/aーSi_3N_4 and the classical localization." Proc.of MRS Symposium. (1991)

S. Nitta、T. Furukawa、T. Itoh 和 S. Nonomura：“非晶 a-Si:H/a-Si_3N_4 的随机多层膜的光学特性和 MRS 研讨会的经典定位”。

S.Nitta,S.Q.GU.P.C.Taylor,T.Itoh and S.Nonomura: "Anomalous optical properties of amorphous semiconducting multilayers" Bull.AmericanPhys.Soc.33. 1357 (1991)

S.Nitta、S.Q.GU.P.C.Taylor、T.Itoh 和 S.Nonomura：“非晶半导体多层膜的异常光学特性”Bull.AmericanPhys.Soc.33。