课题基金 / 基金详情

アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良

アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良
非晶半导体超晶格的导电及其改进
批准号:
63550232
负责人:
仁田 昌二
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 1989

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置の回転の自動化および科研で入手したターボ分子ポンプを使用した高真空化を行ない装置の改良を行なった。その構造と電子的性質について調べており、界面の改良のため(a)真空にさらす時間の制御、(b)水素放電にさらす時間の制御を行い、調べているところである。また障壁層を作る際の基板温度が低いとき、障壁層が酸化されることがわかり、その改良も行なっている。さらに井戸層の厚みのゆらぎがアモルファス半導体超格子に与える影響についてもX線と光学的性質によって調べ、各層での反射にもとづく多重反射が大きく電子的性質に影響することが明かになってきた。
英文摘要
基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置の回転の自動化および科研で入手したターボ分子ポンプを使用した高真空化を行ない装置の改良を行なった。その構造と電子的性質について調べており、界面の改良のため(a)真空にさらす時間の制御、(b)水素放電にさらす時間の制御を行い、調べているところである。また障壁層を作る際の基板温度が低いとき、障壁層が酸化されることがわかり、その改良も行なっている。さらに井戸層の厚みのゆらぎがアモルファス半導体超格子に与える影響についてもX線と光学的性質によって調べ、各層での反射にもとづく多重反射が大きく電子的性質に影響することが明かになってきた。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S.Nitta;T.Itho;S.Nonomura;H.Ohta;K.Morigaki: Philosophical Magazine. (1989)
S.Nitta;T.Itho;S.Nonomura;H.Ohta;K.Morigaki:哲学杂志。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
S.Nitta;T.Itoh;S.Nonomura;K.Morigaki: Materials Research Society 1989 Spring Meeting. (1989)
S.Nitta;T.Itoh;S.Nonomura;K.Morigaki:材料研究学会 1989 年春季会议。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究
  • 批准号:
    02650009
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGda-Si作成方法, その物性と応用についての検討
  • 批准号:
    57104008
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $2.56万
  • 财政年份:
    1982
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いた Gda-Si 作成方法, その物性と応用についての検討
  • 批准号:
    56211026
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $2.88万
  • 财政年份:
    1981
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGDa-Si作成方法, その物性と応用についての検討
  • 批准号:
    X00040----521529
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $2.82万
  • 财政年份:
    1980
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位: