アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良

非晶半导体超晶格的导电及其改进

• 批准号: 63550232
• 负责人: 仁田 昌二
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Gifu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1988 至 1989
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63550232/
• 关键词: アモルファス半導体超格子; 井戸層ゆらぎ; 多重反射; 高真空化; 障壁層の酸化; 基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置

基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置の回転の自動化および科研で入手したターボ分子ポンプを使用した高真空化を行ない装置の改良を行なった。その構造と電子的性質について調べており、界面の改良のため(a)真空にさらす時間の制御、(b)水素放電にさらす時間の制御を行い、調べているところである。また障壁層を作る際の基板温度が低いとき、障壁層が酸化されることがわかり、その改良も行なっている。さらに井戸層の厚みのゆらぎがアモルファス半導体超格子に与える影響についてもX線と光学的性質によって調べ、各層での反射にもとづく多重反射が大きく電子的性質に影響することが明かになってきた。

Substrate type back to planning グ ロ ー discharge ア モ ル フ ァ ス device の back to planning the superlattice cropping の automation お よ び research of で し た タ ー ボ molecular ポ ン プ を use し た high vacuum line を な い device の improved line を な っ た. と そ の structure properties of electronic に つ い て adjustable べ て お り, interface の improved の た め (a) vacuum に さ ら す time の suppression, (b) the water element discharge に さ ら す time の royal line を い, adjustable べ て い る と こ ろ で あ る. を ま た barrier layer for the event る の low substrate temperature が い と き, barrier layer が acidification さ れ る こ と が わ か り, そ の improved line も な っ て い る. さ ら に well opens の thick み の ゆ ら ぎ が ア モ ル フ ァ ス semiconductor superlattice に and え る influence に つ い て も X-ray と optical properties に よ っ て べ, each layer で の reflection に も と づ く multiple reflection が big き く electronic に influence the properties of す る こ と が Ming か に な っ て き た.

项目成果

S.Nitta;T.Itho;S.Nonomura;H.Ohta;K.Morigaki: Philosophical Magazine. (1989)

S.Nitta；T.Itho；S.Nonomura；H.Ohta；K.Morigaki：哲学杂志。

S.Nitta;T.Itoh;S.Nonomura;K.Morigaki: Materials Research Society 1989 Spring Meeting. (1989)

S.Nitta；T.Itoh；S.Nonomura；K.Morigaki：材料研究学会 1989 年春季会议。