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SiH_4, SiF_4を用いた Gda-Si 作成方法, その物性と応用についての検討

SiH_4, SiF_4を用いた Gda-Si 作成方法, その物性と応用についての検討
SiH_4和SiF_4制备Gda-Si方法及其物理性能和应用研究
批准号:
56211026
负责人:
仁田 昌二
金额:
$2.88万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1981
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1981 至 --
关键词:

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PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究
  • 批准号:
    02650009
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良
  • 批准号:
    63550232
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1988
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGda-Si作成方法, その物性と応用についての検討
  • 批准号:
    57104008
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $2.56万
  • 财政年份:
    1982
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位:
SiH_4, SiF_4を用いたGDa-Si作成方法, その物性と応用についての検討
  • 批准号:
    X00040----521529
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $2.82万
  • 财政年份:
    1980
  • 负责人:
    仁田 昌二
  • 依托单位: