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真空トンネルで結んだ超伝導体/半導体薄膜堆積装置による超伝導トランジスタの製作

利用真空隧道连接的超导/半导体薄膜沉积设备制造超导晶体管

基本信息

批准号：
06805031
负责人：
中山明芳
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Kanagawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06805031/
关键词：
真空トンネル超伝導体半導体超伝導トランジスタ

项目摘要

本研究で作製する超伝導トランジスタはエミッタ/ベース接合としては、すでに実績のあるNb/AlOx/Nbトンネル型ジョセフソン素子を使い、ベース/コレクタ接合としては超伝導体/半導体のヘテロ接合を使うのであるから、本研究の力点は(1)コレクタの半導体薄膜の堆積と(2)トランジスタ構造の作製とパタ-ニングに置いた。(1)コレクタ用の半導体薄膜の堆積金属超伝導体(Nb)のギャップ電圧は数mVであるからこれと組み合わせる半導体としては、狭いエネルギーギャップを持つInSbを考えた。このコレクタとするInSb薄膜はまずフラッシュ蒸着法により成膜した。この方法では加熱したタングステンヒーター上にInSbの粉を落下させ、粉のInSbが1:1の比のまま瞬間的に蒸発させ、基板加熱用のヒーターにより加熱した基板上に堆積させる。基板としてはSi、MgO、GaAsを使用し、特にGaAs基板を使用した場合、基板温度が400度の時組成比がほぼ1:1で表面の平坦性の良い薄膜を得ることに成功した。クヌードセンセルを使った共蒸着装置も作製し、InSb薄膜の堆積をおこなった。(2)トランジスタ構造の作製とパタ-ニングこのフラッシュ蒸着法および共蒸着装置とNb/AlOx/Nb素子製作用スパッタリング装置を真空トンネルで結ぶことにより、トランジスタの作製において多層積層構造、特に超伝導体薄膜と半導体薄膜の界面のショット-接合に不純物が入らないよう、堆積していくことが可能となった。トランジスタ構造のパタ-ニングにおいては、反応性イオンエッチング装置によるドライエッチング法と陽極酸化法を併用しておこなった。この結果エミッタ/ベース接合としてはジョセフソン素子の特性が得られ、またベース/コレクタ接合も非線形のものが得られた。

In this study, we performed the fabrication of superconductors and semiconductor thin films and the fabrication of Nb/AlOx/Nb thin films. (1)Semiconductor thin films for semiconductor applications are deposited on metal superconductors (Nb). The voltage of the superconductors (Nb) is measured in mV. InSb thin films are formed by evaporation. The method includes heating, powder deposition, instantaneous evaporation of powder and InSb at a ratio of 1:1, and heating and deposition on the substrate. Si, MgO and GaAs substrates are used, especially GaAs substrates. When the substrate temperature is 400 degrees, the composition ratio is 1:1, and the surface flatness is excellent. The deposition of InSb thin films was investigated by using a co-evaporation device. (2)The fabrication of multi-layer structure, special super-conductor film, interface of semiconductor film, and bonding of impurities may be achieved by evaporation method and co-evaporation device and Nb/AlOx/Nb element fabrication method and vacuum deposition device. The structure of the film is composed of two parts, namely, the first part and the second part. The first part is composed of two parts: the first part and the second part. The second part is composed of three parts. The result is that the joint is not linear.