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半導体2次元電子ガスを用いた超伝導体/常伝導金属接合に対する光照射効果

使用半导体二维电子气光照射对超导体/普通金属结的影响

基本信息

批准号：
08J03728
负责人：
津村公平
金额：
$ 0.77万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08J03728/
关键词：
半導体二次元電子ガス超伝導近接効果光物性 InGaAs

项目摘要

まず光照射によるIn_<0.7>Ga_<0.3>As量子井戸の電子密度の変化を測定した。波長1.55μmの光照射下でShubnikov-de Haas振動を測定し、電子密度を見積もった結果、光照射強度の増大とともに二次元電子ガス(2DEG)の電子密度が減少することが分かった。この試料の微分抵抗-バイアス電圧(dV/dI-V)の特性をT=4.2Kで測定した。光照射下では2DEGの電子密度は減少するにも関わらず、試料抵抗は光照射前と比較し減少する。これは光照射によるS-Sm界面のポテンシャルバリアの高さの減少に伴う試料抵抗減少が、電子密度減少による抵抗増大を上回ったためだと考えられる。ノーマル抵抗で規格化したdV/dI-V特性から、光照射によって超伝導電極Nb超伝導の超伝導ギャップエネルギーの2倍(2Δ)以内で微分抵抗が減少していることがわかった。これは光照射によってS-Sm界面でのAndreev反射確率が増大したことを示している。Andreev反射確率の増大はS-Sm界面ポテンシャルバリア高さの減少によって説明され、我々の実験結果はこれに対応している。光照射によるポテンシャルバリア高さの減少を定量的に示すため、Bakkerが拡張したOctavio-Tinkham-Blonder-KlapwijkモデルでdV/dI-V特性の計算を行った。この結果、光照射前は界面ポテンシャルバリア高さは無次元パラメータZ=0.14を用いて特性を再現できる一方で、光照射後の特性はZ=0.08で再現できた。またこの試料に対してパルスレーザーを用いて円偏光照射を行い、直線偏光照射時との比較を行ったが、有為な差を見出すには未だ至っていない。この差を検出するためにはパルスレーザー励起と同期した超高速測定系の構築が必要であると考えられる。

Phosphorescence illuminates in _ & lt;0.7>Ga_<0.3>As quantum well to determine the density of electrons by chemical method. Under the irradiation of 1.55 μ m phosphorescence, the results of Shubnikov-de Haas vibration measurement, electron density test, high intensity of light irradiation, high intensity of light, low density and low density of secondary electrons (2DEG). The differential resistance of the material-the characteristic of the dV/dI-V is measured at 4.2K. The density of 2DEG electrons under light irradiation is much lower than that before light irradiation, and the resistance to light irradiation is less than that before light irradiation. The S-Sm interface should be illuminated with high temperature, low temperature, low material resistance, low electron density, high resistance, high temperature, low energy density, low electron density, low energy density, low power density, low The differential resistance is twice (2 Δ) due to the normalization of the dV/dI-V characteristic, the exposure to light, the superconductor, the NB superconductor, the superconductor, and the internal differential resistance. Light exposure, S-Sm interface, Andreev reflection confirmation rate, large light exposure, display temperature, etc. The Andreev reflection rate is very high. The S-Sm interface does not show any errors. The results show that there is no significant difference between the two. The light illuminates the quantity of high and low light, and Bakker shows that the calculation of dV/dI-V properties is different from that of dV/dI-V. The results show that before illumination, the interface will show high resolution without dimension. After illumination, one side will be seen again, and the property ZOO8 will be reappeared after illumination. The equipment is used to illuminate the line with polarized light, and when the polarized light is irradiated by straight-line polarized light, there is a difference between the temperature and the temperature. In the same period, the ultra-high-speed measurement system is required.