NaOH処理による高ステージ層間化合物の形成と電子構造の研究
NaOH処理による高ステージ層間化合物の形成と電子構造の研究
批准号:
07650029
负责人:
重川 秀実
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
中文摘要
NaOH処理により作製した第8ステージのグラファイト層間化合物(GIC)に対してSTMを用いた原子レベルでの解析を行った。2x2,√3×√3等の超構造と併せて確認した、幾つかのCDWと思われる構造の詳細を調べた結果、最も伝導性の高い一次元軸に対して垂直方向に超構造を形成している可能性が高いことが明らかになってきた。同時に行った、低次元有機伝導体でも、一般的に、伝導軸に垂直な方向に超周期構造が形成されることが示され、2次元系の低次元伝導体における、非対称性からくる1次元軸の重要さが認識されてきた。コヒーレントフォノンを立てやすいとおもられる2次元系伝導体であるBEDT-TTF系の材料に対して、フェムト秒レーザーによる解析を行った結果、コヒーレントフォノンをたてることに成功すると共に、減衰時間が非常に短いことから、表面に置ける、分子・電子構造の揺らぎとの関係が示唆される結果を得た。ドメイン構造の動的な変化を直接観察する試みとあわせて、現在、これら結果の詳細を検討中である。また、上記、NaOH処理を施したGIC試料の表面で、欠陥の周辺で電子波の回折と思われる現象も見出された。同結果に対しても、トンネル電流により、欠陥構造を制御し、異なる、制御された条件下での回折現象の解析を進めている。
英文摘要
NaOH処理により作製した第8ステージのグラファイト層間化合物(GIC)に対してSTMを用いた原子レベルでの解析を行った。2x2,√3×√3等の超構造と併せて確認した、幾つかのCDWと思われる構造の詳細を調べた結果、最も伝導性の高い一次元軸に対して垂直方向に超構造を形成している可能性が高いことが明らかになってきた。同時に行った、低次元有機伝導体でも、一般的に、伝導軸に垂直な方向に超周期構造が形成されることが示され、2次元系の低次元伝導体における、非対称性からくる1次元軸の重要さが認識されてきた。コヒーレントフォノンを立てやすいとおもられる2次元系伝導体であるBEDT-TTF系の材料に対して、フェムト秒レーザーによる解析を行った結果、コヒーレントフォノンをたてることに成功すると共に、減衰時間が非常に短いことから、表面に置ける、分子・電子構造の揺らぎとの関係が示唆される結果を得た。ドメイン構造の動的な変化を直接観察する試みとあわせて、現在、これら結果の詳細を検討中である。また、上記、NaOH処理を施したGIC試料の表面で、欠陥の周辺で電子波の回折と思われる現象も見出された。同結果に対しても、トンネル電流により、欠陥構造を制御し、異なる、制御された条件下での回折現象の解析を進めている。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
重川 秀実 他: "Surface structwe of layered compounds treated with alkali-metal hydroxide solutions studied by STM" Synthetic Metals. 71. 1753-1754 (1995)
Hidemi Shigekawa 等人:“通过 STM 研究碱金属氢氧化物溶液处理的层状化合物的表面结构”Synthetic Metals,71。1753-1754 (1995)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
中赤外電場駆動時間分解STM技術の開拓とナノスケール科学への展開
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批准号:23H00264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.78万
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财政年份:2023
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
Nanoscale spectroscopy on photo-induced dynamics in materials by femtosecond time-resolved scanning tunneling microscopy
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批准号:15H05734
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$95.85万
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财政年份:2015
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
ナノスケール量子ダイナミックスの光STM実空間イメージング
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批准号:22246005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$18.89万
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财政年份:2010
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
光励起STMを用いた単一原子、分子レベルでの物性研究
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批准号:12305004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$7.24万
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财政年份:2000
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:08220210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:07230210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1995
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:06241209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
化合物半導体表面/界面の原子・電子構造制御に関する研究
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批准号:06650352
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1994
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
S/Se処理による化合物半導体表面/界面の構造制御に関する研究
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批准号:04650257
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
STM/STSを用いたSーGaAs表面安定化機構の研究
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批准号:03650003
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1991
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
SiGe/Si歪格子の熱的安定性
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批准号:02750005
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
動的光電子分光法による固体表面及び界面構造の解析
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批准号:01750006
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1989
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
海外基金