Nanoscale spectroscopy on photo-induced dynamics in materials by femtosecond time-resolved scanning tunneling microscopy
Nanoscale spectroscopy on photo-induced dynamics in materials by femtosecond time-resolved scanning tunneling microscopy
批准号:
15H05734
负责人:
重川 秀実
金额:
$95.85万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-05-29 至 2018-03-31
中文摘要
これまでに,スピンダイナミックスまで含めた時間分解STM測定を可能にしてきたが、トンネル電流として得られる信号は通常の光学的な測定に比べて非常に微弱であり、光強度が格段に弱くなる励起波長での測定は困難で、対象がGaAsを主とする材料に限られていた。そこで、多様な系を対象とした時間分解STM測定が可能になるよう新しい励起システムを構築し新しい物理を探索することを目的とした。初年度は、波長変換を行いながら時間分解測定が可能となる励起系の仕組みを完成させ、目的とする試料の準備について新しい結果を得るなどの成果を得た。次年度は、同システムを用いた実験を進め、トポロジカル絶縁体(Bi2Te2S3)やMoS2単層、2層構造、等を対象として時間分解測定を行う事に成功した。また、WS2上に形成したWS2/MoS2ヘテロ構造界面で、新しい準位が形成されることを見出し前年度に続きNature系の雑誌であるScientific Reportsに発表した。更に、測定をTHz領域に展開し、単一パルス内の位相(carrier envelope phase: CEP)を制御することで、STM探針に印加する電場(従ってトンネル電流)をサブサイクルでコヒーレントに制御することに成功した。同成果は、Nature Photonicsに掲載された。本年度は、1月弱の期間であったが、上記結果を基に実験を進め、現有多探針STMによるWSe2の時間分解測定に成功した。併せて、THz-STMにおいて、配線やチラーの振動によるノイズを抑えることで、10fA程度の微弱トンネル電流信号計測が可能となり、損傷を受けやすい有機系を含めた幅広い試料を対象とする路が拓けた。
英文摘要
これまでに,スピンダイナミックスまで含めた時間分解STM測定を可能にしてきたが、トンネル電流として得られる信号は通常の光学的な測定に比べて非常に微弱であり、光強度が格段に弱くなる励起波長での測定は困難で、対象がGaAsを主とする材料に限られていた。そこで、多様な系を対象とした時間分解STM測定が可能になるよう新しい励起システムを構築し新しい物理を探索することを目的とした。初年度は、波長変換を行いながら時間分解測定が可能となる励起系の仕組みを完成させ、目的とする試料の準備について新しい結果を得るなどの成果を得た。次年度は、同システムを用いた実験を進め、トポロジカル絶縁体(Bi2Te2S3)やMoS2単層、2層構造、等を対象として時間分解測定を行う事に成功した。また、WS2上に形成したWS2/MoS2ヘテロ構造界面で、新しい準位が形成されることを見出し前年度に続きNature系の雑誌であるScientific Reportsに発表した。更に、測定をTHz領域に展開し、単一パルス内の位相(carrier envelope phase: CEP)を制御することで、STM探針に印加する電場(従ってトンネル電流)をサブサイクルでコヒーレントに制御することに成功した。同成果は、Nature Photonicsに掲載された。本年度は、1月弱の期間であったが、上記結果を基に実験を進め、現有多探針STMによるWSe2の時間分解測定に成功した。併せて、THz-STMにおいて、配線やチラーの振動によるノイズを抑えることで、10fA程度の微弱トンネル電流信号計測が可能となり、損傷を受けやすい有機系を含めた幅広い試料を対象とする路が拓けた。
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Scanning tunneling potentiometry on FIB-deposited PtC pattern by using multi-probe STM
使用多探针 STM 对 FIB 沉积 PtC 图案进行扫描隧道电位测量
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Bamba, H. Mogi, S. Yoshida, O. Takeuchi and H. Shigekawa]
通讯作者:
O. Takeuchi and H. Shigekawa
イオンビーム誘起堆積法により作成したPt配線の局所電位測定
离子束诱导沉积法产生的 Pt 布线的局部电位测量
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Z.H. Wang, H. Mogi, T. Banba, S. Yoshida, Y. Miyata, O. Takeuchi and H. Shigekawa, 茂木 裕幸,番場 隆文,武内 修,重川 秀実, 茂木 裕幸,番場 隆文,武内 修,重川 秀実]
通讯作者:
茂木 裕幸,番場 隆文,武内 修,重川 秀実
Coupling THz technology to STM
太赫兹技术与 STM 的耦合
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Nakanishi, R. Kitaura, T. Kawai, S. Okada, S. Yoshida, O. Takeuchi, H. Shigekawa, and H. Shinohara, 吉岡 克将(重川 秀実)]
通讯作者:
吉岡 克将(重川 秀実)
Attractive interaction of Mn Atoms on the GaAs(110) Surface Observed by Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy
通过扫描隧道显微镜/光谱观察 GaAs(110) 表面上锰原子的吸引相互作用
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[E. Hayaki, A. Taninaka, S. Yoshida, K. Kanazawa, O. Takeuchi and H. Shigekawa]
通讯作者:
O. Takeuchi and H. Shigekawa
STM探針におけるモノサイクルTHz電場誘起電子トンネリングの実空間制御
STM 尖端中单周期太赫兹电场感应电子隧道的实空间控制
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉岡克将, 片山郁文, 南康夫, 北島正弘, 吉田昭二, 重川秀実, 武田淳]
通讯作者:
武田淳
共 73 条
中赤外電場駆動時間分解STM技術の開拓とナノスケール科学への展開
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批准号:23H00264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.78万
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财政年份:2023
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
ナノスケール量子ダイナミックスの光STM実空間イメージング
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批准号:22246005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$18.89万
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财政年份:2010
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
光励起STMを用いた単一原子、分子レベルでの物性研究
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批准号:12305004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$7.24万
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财政年份:2000
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:08220210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
NaOH処理による高ステージ層間化合物の形成と電子構造の研究
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批准号:07650029
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1995
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:07230210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1995
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
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批准号:06241209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
化合物半導体表面/界面の原子・電子構造制御に関する研究
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批准号:06650352
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1994
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
S/Se処理による化合物半導体表面/界面の構造制御に関する研究
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批准号:04650257
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
STM/STSを用いたSーGaAs表面安定化機構の研究
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批准号:03650003
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1991
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
SiGe/Si歪格子の熱的安定性
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批准号:02750005
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
動的光電子分光法による固体表面及び界面構造の解析
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批准号:01750006
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1989
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负责人:重川 秀実
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依托单位:
海外基金