Defect Evaluation of InAlN after Device Process and their Electrical Properties
Defect Evaluation of InAlN after Device Process and their Electrical Properties
InAlN器件加工后的缺陷评估及其电性能
批准号：
15H06070
负责人：
OKUMURA Hironori
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-08-28 至 2017-03-31
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DOI：
10.1063/1.4942369
发表时间：
2016-02
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[H. Okumura;D. Martin;M. Malinverni;N. Grandjean]
通讯作者：
H. Okumura;D. Martin;M. Malinverni;N. Grandjean
Massachusetts Institute of Technology(米国)
麻省理工学院（美国）
麻省理工学院（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Otto-von-Guericke Universitt Magdeburg(Germany)
马格德堡奥托·冯·格里克大学（德国）
马格德堡奥托·冯·格里克大学（德国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1063/1.4972408
发表时间：
2016-12-19
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Okumura, Hironori, Martin, Denis, Grandjean, Nicolas]
通讯作者：
Grandjean, Nicolas
Ecole Polytechnique Frale de Lausanne(Switzerland)
洛桑弗拉莱综合理工学院（瑞士）
洛桑弗拉莱综合理工学院（瑞士）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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