Defect Evaluation of InAlN after Device Process and their Electrical Properties

InAlN器件加工后的缺陷评估及其电性能

基本信息

批准号：
15H06070
负责人：
OKUMURA Hironori
金额：
$ 1.91万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-08-28 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy

DOI：
10.1063/1.4942369
发表时间：
2016-02
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
H. Okumura;D. Martin;M. Malinverni;N. Grandjean
通讯作者：
H. Okumura;D. Martin;M. Malinverni;N. Grandjean

Otto-von-Guericke Universitt Magdeburg(Germany)

马格德堡奥托·冯·格里克大学（德国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Massachusetts Institute of Technology(米国)

麻省理工学院（美国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Low p-type contact resistance by field-emission tunneling in highly Mg-doped GaN

DOI：
10.1063/1.4972408
发表时间：
2016-12-19
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Okumura, Hironori;Martin, Denis;Grandjean, Nicolas
通讯作者：
Grandjean, Nicolas

Ecole Polytechnique Frale de Lausanne(Switzerland)

洛桑弗拉莱综合理工学院（瑞士）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
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作者：
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OKUMURA Hironori其他文献

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