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Controlling of hetero-, nano-structures andtheir properties and band engineering using InN and related alloys

Controlling of hetero-, nano-structures andtheir properties and band engineering using InN and related alloys
使用 InN 和相关合金控制异质、纳米结构及其性能和能带工程
批准号：
21246004
负责人：
NANISHI Yasushi
金额：
$29.2万
依托单位：
Ritsumeikan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246004/
关键词：
ヘテロ構造InNMBERF-MBEInGaNDERI窒化インジウム分子線エピタキシー法窒化インジウムガリウムドライエッチングDERI法極性p型ドーピングMIS構造ウェットエッチングKOHオーミック電極ショットキー電極ケルビン力顕微鏡X線光電子分光法

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
我们使用称为DERI（Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation）的高质量InN的新生长方法，开发了InN和InGaN的厚且高质量的晶体生长，使用自由基监控精确控制InGaN组分，通过Mg掺杂实现p型导电性，基于InGaN/InGaN的异质结构和纳米结构的制造，以及InN基光电器件的基本工艺。
英文摘要
Using novel growth method of high-quality InN called DERI (Droplet Elimination by Radical beam Irradiation), we have developed thick and high-quality crystal growth of InN and InGaN, precise control of InGaN composition using radical monitoring, p-type conductivity by Mg doping, fabrication of hetero-, and nano-structures basedon InGaN/InGaN, and basic process for InN-based optoelectronic devices.
期刊论文(218)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Investigation of the near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction
DOI： 10.1063/1.4789373
发表时间： 2013-01
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [A. Yang;Y. Yamashita;M. Kobata;T. Matsushita;H. Yoshikawa;I. Píš;M. Imura;T. Yamaguchi;O. Sakata;Y. Nanishi;Keisuke L. I. Kobayashi]
通讯作者： A. Yang;Y. Yamashita;M. Kobata;T. Matsushita;H. Yoshikawa;I. Píš;M. Imura;T. Yamaguchi;O. Sakata;Y. Nanishi;Keisuke L. I. Kobayashi
Electron accumulation at nonpolar and semipolar surfaces of wurtzite InN from generalized infrared ellipsometry
DOI： 10.1063/1.3261731
发表时间： 2009-11
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [V. Darakchieva;M. Schubert;T. Hofmann;B. Monemar;C. Hsiao;Ting-Wei Liu;Li‐Chyong Chen;W. Schaff;Y. Takagi;Y. Nanishi]
通讯作者： V. Darakchieva;M. Schubert;T. Hofmann;B. Monemar;C. Hsiao;Ting-Wei Liu;Li‐Chyong Chen;W. Schaff;Y. Takagi;Y. Nanishi
Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material
InN 中的氢：分子束外延生长材料中普遍存在的现象
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi]
通讯作者： Y.Nanishi
Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication
用于 InN 器件制造的 KOH 湿法蚀刻
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi]
通讯作者： Y.Nanishi
共 202 条
    Development of advanced RF-MBE growth for InN and related alloys and control of their optoelectronic properties
    • 批准号：
      18206003
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $32.45万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    Study on fabrication of heterostructures based on InN, GaN and alloys and applications for HFET
    • 批准号：
      13450131
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.19万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    Study on GaN and Pelated Compound Crystal Growth By ECR-MBE for Blue Lase
    • 批准号：
      07650385
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    国内基金
    海外基金
    INN1调控大豆根瘤形成的分子机制
    • 批准号：
      32301822
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      苏伯鸿
    • 依托单位：
      广州大学
    InN基三元半导体低维材料的生长及其结构和带隙的压力调控研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      55万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      沈龙海
    • 依托单位：
      沈阳理工大学
    一维InN/InAlN渐变核壳纳米线阵列高效近红外发光器件研究
    • 批准号：
      61774076
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      吴国光
    • 依托单位：
      吉林大学
    基于InN-NiO的近红外激光器件制备及其机理研究
    • 批准号：
      61674052
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      60.0万元
    • 批准年份：
      2016
    • 负责人：
      王辉
    • 依托单位：
      河南科技大学