Controlling of hetero-, nano-structures andtheir properties and band engineering using InN and related alloys

使用 InN 和相关合金控制异质、纳米结构及其性能和能带工程

基本信息

  • 批准号：
    21246004
  • 负责人：
    NANISHI Yasushi
  • 金额：
    $ 29.2万
  • 依托单位：
    Ritsumeikan University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2009
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2009 至 2012
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Using novel growth method of high-quality InN called DERI (Droplet Elimination by Radical beam Irradiation), we have developed thick and high-quality crystal growth of InN and InGaN, precise control of InGaN composition using radical monitoring, p-type conductivity by Mg doping, fabrication of hetero-, and nano-structures basedon InGaN/InGaN, and basic process for InN-based optoelectronic devices.
我们使用称为DERI（Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation）的高质量InN的新生长方法，开发了InN和InGaN的厚且高质量的晶体生长，使用自由基监控精确控制InGaN组分，通过Mg掺杂实现p型导电性，基于InGaN/InGaN的异质结构和纳米结构的制造，以及InN基光电器件的基本工艺。

项目成果

期刊论文数量（218）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electron accumulation at nonpolar and semipolar surfaces of wurtzite InN from generalized infrared ellipsometry
  • DOI：
    10.1063/1.3261731
  • 发表时间：
    2009-11
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    V. Darakchieva;M. Schubert;T. Hofmann;B. Monemar;C. Hsiao;Ting-Wei Liu;Li‐Chyong Chen;W. Schaff;Y. Takagi;Y. Nanishi
  • 通讯作者：
    V. Darakchieva;M. Schubert;T. Hofmann;B. Monemar;C. Hsiao;Ting-Wei Liu;Li‐Chyong Chen;W. Schaff;Y. Takagi;Y. Nanishi
Investigation of the near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction
  • DOI：
    10.1063/1.4789373
  • 发表时间：
    2013-01
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    A. Yang;Y. Yamashita;M. Kobata;T. Matsushita;H. Yoshikawa;I. Píš;M. Imura;T. Yamaguchi;O. Sakata;Y. Nanishi;Keisuke L. I. Kobayashi
  • 通讯作者：
    A. Yang;Y. Yamashita;M. Kobata;T. Matsushita;H. Yoshikawa;I. Píš;M. Imura;T. Yamaguchi;O. Sakata;Y. Nanishi;Keisuke L. I. Kobayashi
In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE
RF-MBE 生长的 InN 的原位监测
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K.Wang;T.Yamaguchi;T.Araki;E..Yoon;Y.Nanishi
  • 通讯作者：
    Y.Nanishi
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高木俊樹;金子昌充;山口智広;荒木努;名西〓之
  • 通讯作者：
    名西〓之
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    王科;山口智広;荒木努;名西〓之
  • 通讯作者：
    名西〓之
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