Development of silicon quantum wire arrays for the next generation photovoltaics

开发下一代光伏硅量子线阵列

基本信息

  • 批准号:
    22860022
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.01万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Using silica nanoparticles as an etching mask, SiNW arrays with the diameter of about 30 nm were successfully prepared by metal assisted chemical etching(MAE). Optical measurement revealed that prepared SiNW arrays have high optical confinement effect. The whole surface of SiNW arrays was successfully covered with Al_2O_3thin films deposited by atomic layer deposition(ALD). As a result, the quality of the SiNW arrays was improved. Finally, SiNW solar cells were fabricated and the photovoltaic effect was confirmed.
以SiO2纳米粒子为刻蚀掩模,采用金属辅助化学刻蚀(MAE)方法成功制备了直径约为30 nm的硅纳米线阵列。光学测量表明,所制备的硅纳米线阵列具有较高的光限域效应。用原子层沉积法(ALD)制备了Al_2O_3薄膜,成功地覆盖了硅纳米线阵列的整个表面。因此,硅纳米线阵列的质量得到了提高。最后,制作了硅纳米线太阳能电池,并证实了光伏效应。

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Metal assisted chemical etchingによるシリコンナノワイヤアレイの作製
金属辅助化学蚀刻法制造硅纳米线阵列
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hamamoto;S. K. Kawamoto;T. Komatsu.;Yukihisa Nakao;加藤慎也,渡邊裕也,黒川康良,山田明
  • 通讯作者:
    加藤慎也,渡邊裕也,黒川康良,山田明
太陽電池およびその製造方法
太阳能电池及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
太陽電池応用へ向けたシリコンナノワイヤの作製
用于太阳能电池应用的硅纳米线的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Akiyama;K. Shimizu;T. Hoshino;K. Iwabuchi;Y. Akiyama;M. Yamato;M. Okano;K. Morishima;渡邊裕也,加藤慎也,黒川康良,山田明,太田最実,丹羽勇介,廣田正樹
  • 通讯作者:
    渡邊裕也,加藤慎也,黒川康良,山田明,太田最実,丹羽勇介,廣田正樹
超高効率太陽電池・関連材料の最前線第4章第2項
超高效率太阳能电池及相关材料前沿第四章第二节
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    黒川康良;山田繁;小長井誠
  • 通讯作者:
    小長井誠
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yasuyoshi Kurokawa;Shinya Kato;Yuya Watanabe;Akira Yamada;Yoshimi Ohta;Yusuke Niwa;Masaki Hirota
  • 通讯作者:
    Masaki Hirota
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    $ 2.01万
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