ポスト2nm世代スピントロクスデバイス実現に向けた材料・デバイス・回路技術
ポスト2nm世代スピントロクスデバイス実現に向けた材料・デバイス・回路技術
用于实现2nm后一代spintrox器件的材料、器件和电路技术
批准号：
22H00214
负责人：
安藤 裕一郎
金额：
$27.71万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-01 至 2026-03-31
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ホイスラー合金を用いた新規積層型熱電素子の低温作製
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批准号：24860038
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$1.91万
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财政年份：2012
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负责人：安藤 裕一郎
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依托单位：
純スピン流制御型spin-MOSFETの創製
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批准号：10J02787
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.22万
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财政年份：2010
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负责人：安藤 裕一郎
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依托单位：
原子間結合制御技術によるスピン偏極型シリサイド/半導体の創製とデバイス応用
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批准号：08J02014
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.77万
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财政年份：2008
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负责人：安藤 裕一郎
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依托单位：
海外基金
