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ポスト2nm世代スピントロクスデバイス実現に向けた材料・デバイス・回路技術
用于实现2nm后一代spintrox器件的材料、器件和电路技术
基本信息
- 批准号：22H00214
- 负责人：
- 金额：$ 27.71万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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安藤 裕一郎其他文献
フォトニクスが拓くミリ波・テラヘルツ波計測1
光子学开创的毫米波和太赫兹波测量1
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
亀野 誠;安藤 裕一郎;新庄 輝也;白石 誠司,小池 勇人;佐々木 智生;及川 亨;鈴木 淑男;久武信太郎 - 通讯作者：
久武信太郎
Analog Eigenmode Transmission for Short-range MIMO
用于短距离 MIMO 的模拟本征模传输
- DOI：
10.1109/tvt.2015.2397194 - 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
亀野 誠;安藤 裕一郎;新庄 輝也;白石 誠司,小池 勇人;佐々木 智生;及川 亨;鈴木 淑男;久武信太郎;Naoki Honma - 通讯作者：
Naoki Honma
強磁性-非磁性電極を用いた2端子法における 高ドープn型si中のスピンドリフト速度の定量的評価
使用铁磁-非磁电极两端法定量评估高掺杂 n 型硅中的自旋漂移速度
- DOI：
- 发表时间：
2013 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
亀野 誠;安藤 裕一郎;新庄 輝也;白石 誠司;小池 勇人;佐々木 智生;及川 亨;鈴木 淑男 - 通讯作者：
鈴木 淑男
Current-induced out-of-plane torque in a single permalloy layer controlled by geometry
由几何结构控制的单个坡莫合金层中电流感应的面外扭矩
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
青木 基;安藤 裕一郎;重松 英;大島 諒;新庄 輝也;白石 誠司 - 通讯作者：
白石 誠司
Investigation of spin-drift velocity in n-type Si spin valve by using two－terminal Hanle effect measurement
两端汉勒效应测量n型硅自旋阀自旋漂移速度研究
- DOI：
- 发表时间：
2013 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
亀野 誠;安藤 裕一郎;新庄 輝也;白石 誠司,小池 勇人;佐々木 智生;及川 亨;鈴木 淑男 - 通讯作者：
鈴木 淑男
安藤 裕一郎的其他文献
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{{ truncateString('安藤 裕一郎', 18)}}的其他基金
ホイスラー合金を用いた新規積層型熱電素子の低温作製
使用 Heusler 合金低温制造新型堆叠热电元件
- 批准号：
24860038 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
純スピン流制御型spin-MOSFETの創製
创建纯自旋电流控制的自旋 MOSFET
- 批准号：
10J02787 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
原子間結合制御技術によるスピン偏極型シリサイド/半導体の創製とデバイス応用
使用原子间键控制技术创建自旋极化硅化物/半导体和器件应用
- 批准号：
08J02014 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
リチウムイオン電池における層状シリコン負極の反応制御およびその反応機構の解明
锂离子电池层状硅负极反应控制及反应机理阐明
- 批准号：
23K21150 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ワイドギャップシリコン新材料：シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか？
新型宽禁带硅材料：硅同素异形体Si46可以外延生长吗？
- 批准号：
24K07584 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
基于硅MOS结构的电子流体电子器件的创建
- 批准号：
24H00312 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
次世代高エネルギー重イオン衝突実験に向けた先進的シリコン検出器開発
开发用于下一代高能重离子碰撞实验的先进硅探测器
- 批准号：
24K00663 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
フレキシブルテラヘルツデバイスに向けたシリコン有効媒質材料の基盤研究
柔性太赫兹器件硅有效介质材料基础研究
- 批准号：
24K00933 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
シリコン塑性変形技術を用いた高角度分解能で軽量な次世代X線望遠鏡の開発
利用硅塑性变形技术开发下一代高角分辨率轻型X射线望远镜
- 批准号：
24K17090 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多孔質炭素へのシリコンおよび熱分解炭素被覆によるリチウムイオン電池負極材料の合成
多孔碳上硅与热解碳包覆合成锂离子电池负极材料
- 批准号：
24K08589 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
単結晶シリコンの多条微細V溝構造をかみ合わせた直動ステージ
单晶硅互锁多排微V型槽结构线性平台
- 批准号：
24K07255 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 27.71万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)