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次世代メモリの研究を飛躍的に促進する電気的特性の統計的計測プラットフォーム技術

显着促进下一代存储器研究的电气特性统计测量平台技术

基本信息

批准号：
22K20422
负责人：
間脇武蔵
金额：
$ 1.83万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-08-31 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は、次世代メモリ材料等の創出に資する電気的特性の統計的計測を行う新規大規模テスト回路を提案・作製し、短ターンアラウンドタイム・低コストでの半導体素子の試作及び統計的評価を可能にするプラットフォーム技術を確立することである。まず電気的特性の統計的計測を行う新規大規模テスト回路の試作品を設計し、半導体製造プロセスを用いて作製した。テスト回路には動作原理検証用ポリシリコン抵抗素子を搭載し、追加製造プロセスによるメモリ素子の形成を行うことなく、回路の動作検証を行うことを可能にした。この試作品テスト回路の動作検証の結果、テスト回路が問題なく動作することを確認した。さらに検証用ポリシリコン抵抗素子の抵抗値を、配線等の寄生抵抗の影響を極力排除しながら計測することに成功した。また追加製造プロセスを行いメモリ素子の試作を行い、追加プロセスによるメモリ素子形成が十分に可能であることを確認している。今後、追加製造プロセスによって次世代メモリ材料を形成し、短ターンアラウンドタイム・低コストでのメモリ素子の試作、及び電流・抵抗といった電気的特性の統計的評価手法の実証を行う。この実証をもって、次世代メモリの評価プラットフォーム技術として確立する。またプラットフォーム技術を利用して、次世代メモリに適した材料の選定及び高性能なメモリ素子を作成するための指針を明らかにする。さらに次世代メモリの信頼性評価のため物理現象に則った故障原因について調査を行う。

The purpose of this study is to establish a new method for the statistical measurement of electrical properties of semiconductor elements in the next generation, such as the development of a large-scale semiconductor circuit, the preparation of a short-term semiconductor circuit, and the statistical evaluation of semiconductor elements. New regulations for the measurement of electrical characteristics of large-scale test circuits design, semiconductor production and application The circuit operation principle is used to test the resistance element, and the additional production method is used to test the resistance element. The test results of the test loop action test, the test loop action test and the test loop action test are confirmed. The influence of parasitic resistance, such as resistance value and wiring, on the measurement of resistance elements was eliminated as much as possible In addition, trial production of additional diaphragms is underway, and it is very possible to form diaphragms when additional diaphragms are added. In the future, additional production of the next generation of high-quality materials, short-term development of high-quality materials, low-cost testing of high-quality materials, and statistical evaluation of high-current resistance characteristics of high-quality materials will be carried out. This is the first time that the technology has been established. The use of high-performance technologies in the selection of suitable materials and in the preparation of high-performance materials In addition, the investigation of the cause of failure is carried out in the investigation of the next generation's reliability evaluation and physical phenomenon.