電荷移動錯体保護層導入による高発光ペロブスカイト量子ドット創出と多積層型 LED開発

通过引入电荷转移复合保护层创建高发光钙钛矿量子点并开发多层 LED

• 批准号: 22K20525
• 负责人: 江部 日南子
• 金额: $ 1.83万
• 依托单位: Yamagata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-08-31 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22K20525/
• 关键词: ペロブスカイトナノ結晶; 電荷移動錯体; 発光デバイス; ペロブスカイト

ハロゲン化鉛ペロブスカイト結晶は、ハロゲン組成制御により簡便に光物性を制御することができ、高い発光量子収率および色純度を有することから次世代の発光デバイス (LED) 材料として期待されている。また、ペロブスカイト半導体は、有機スペーサーの導入により、量子閉じ込め効果をもつ低次元構造を形成し、バルク結晶に比べ優れた発光量子収率を得ることができる。低次元ペロブスカイトナノ結晶の有機スペーサーは、低次元構造の形成や表面の欠陥補填、材料安定化などの役割を担う。また、低い励起子準位をもつ有機スペーサーの導入により、有機スペーサー-ペロブスカイトナノ結晶間の効率的なエネルギー移動を発現することが期待できる。しかしながら、有機スペーサーのエネルギー準位を制御するためには、剛直かつ立体障害の大きな有機分子を用いる必要がある。これらのスペーサーは、ペロブスカイトナノ結晶の結晶格子の歪みを引き起こすため、ペロブスカイトとの複合化が困難である。我々は、電子ドナー分子および電子アクセプター分子から構成される分子間電荷移動錯体を新規有機スペーサーとして導入を試みた。分子間電荷移動錯体は、分子内電荷移動錯体分子に比べ、比較的立体障害が低く、分子選択により容易にエネルギー準位を制御することができる。初年度は、電荷移動錯体-ペロブスカイト複合化膜の創出と光物性解析を実施した。

The crystal structure of LED is simple, the optical properties are easy to control, and the light emission quantum yield and color purity of LED are high. The semiconductor, organic and inorganic materials are introduced into the semiconductor, and the quantum structure is formed. The crystal structure is better than the quantum structure. Low dimensional structure formation, surface filling, material stabilization and service In addition, the low excitation level is expected to increase the efficiency of the crystal structure. It is necessary to control the use of organic molecules as a solid barrier. It is difficult to synthesize the crystal lattice. I want to introduce a new method of charge transfer between molecules. Intermolecular charge transfer errors, intramolecular charge transfer errors, molecular steric barriers are low, molecular selection is easy to produce, and molecular alignment is controlled. In the early years, charge transfer errors-the creation of composite films and the analysis of optical properties

项目成果

立方晶CsPbI3量子ドットの相安定化および高性能LEDの開発

立方CsPbI3量子点的相位稳定和高性能LED的开发

• 发表时间: 2022
• 作者: 江部 日南子;鈴木 陸央;隅越 俊介;上野 瑞穂;森山 玲音;千葉 貴之;城戸 淳二
• 通讯作者: 城戸 淳二

山形大学 カーボンニュートラル研究センター 理学部 江部日南子

山形大学理学院碳中和研究中心江部日菜子

表面修飾処理およびエネルギー移動を用いた高性能ペロブスカイト量子ドットLEDの開発

利用表面改性处理和能量转移开发高性能钙钛矿量子点LED

• 发表时间: 2022
• 作者: Feng Guilin;Inose Tomoko;Suzuki Nozomu;Wen Han;Taemaitree Farsai;Wolf Mathias;Toyouchi Shuichi;Fujita Yasuhiko;Hirai Kenji;Uji-i Hiroshi;江部 日南子
• 通讯作者: 江部 日南子

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