Electron beam excited nitride-based UV laser
Electron beam excited nitride-based UV laser
电子束激发氮化物基紫外激光器
批准号：
15H02019
负责人：
Iwaya Motoaki
金额：
$27.12万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Buried tunnel junctions using low resistive GaInN tunnel junctions with high Si concentrations
使用具有高 Si 浓度的低电阻 GaInN 隧道结的埋地隧道结
使用具有高 Si 浓度的低电阻 GaInN 隧道结的埋地隧道结
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Akatsuka, D. Takasuka, T. Akagi, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki]
通讯作者：
and I. Akasaki
AlN epitaxial growth on sapphire with an intermediate layer
具有中间层的蓝宝石上的 AlN 外延生长
具有中间层的蓝宝石上的 AlN 外延生长
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Syouta Katsuno, Toshiki Yasuda, Motoaki Iwaya, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano]
通讯作者：
Hiroshi Amano
リンチョビン大学(スウェーデン)
林克文大学（瑞典）
林克文大学（瑞典）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire
蓝宝石上 MOCVD 生长的硅掺杂稀 AlxGa1-xN 中的高电子浓度
蓝宝石上 MOCVD 生长的硅掺杂稀 AlxGa1-xN 中的高电子浓度
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki]
通讯作者：
S. Kamiyama and I. Akasaki
Low Temperature Photoluminescence in Highly Si-Doped AlxGa1-xN with x < 0.09
x < 0.09 的高硅掺杂 AlxGa1-xN 中的低温光致发光
x < 0.09 的高硅掺杂 AlxGa1-xN 中的低温光致发光
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Bo Monemar, Plamen P. Paskov, K. Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki]
通讯作者：
Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
共 114 条
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