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Electron beam excited nitride-based UV laser

电子束激发氮化物基紫外激光器

基本信息

批准号：
15H02019
负责人：
Iwaya Motoaki
金额：
$ 27.12万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（117）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

AlGaN-based UV-LEDs with polarization engineering

采用偏振工程的 AlGaN 基 UV-LED

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Toshiki Yasuda;Shota Katsuno;Natsuko Kuwabara;Norikatsu Koide;Tetsuya Takeuchi;Motoaki Iwaya;Satoshi Kamiyama;Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
通讯作者：
Isamu Akasaki and Hiroshi Amano

Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer

通过梯度 AlGaN 层中的极化掺杂改善 p 型电性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
安田俊輝;勝野翔太;桑原奈津子;竹内哲也;岩谷素顕;上山智;赤﨑勇;天野浩
通讯作者：
天野浩

窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子

氮化物半导体发光元件的制造方法及氮化物半导体发光元件

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

窒化物半導体における新しい導電性制御：　トンネル接合と分極ドーピング

氮化物半导体的新电导率控制：隧道结和极化掺杂

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
竹内哲也;岩谷素顕;上山　智;赤﨑　勇
通讯作者：
赤﨑　勇

Theoretical investigation of nitride nanowire-based quantum-shell lasers

基于氮化物纳米线的量子壳激光器的理论研究

DOI：
10.1002/pssa.201600867
发表时间：
2017
期刊：
Physica Status Solidi A
影响因子：
0
作者：
Yuki Kurisaki;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;Tetsuya Takeuchi;Isamu Akasaki
通讯作者：
Isamu Akasaki

DOI：
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作者：
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Iwaya Motoaki其他文献

A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water

一种使用加热加压水从蓝宝石衬底上剥离 AlGaN 薄膜的方法

DOI：
10.35848/1882-0786/ac97dc
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Matsubara Eri;Hasegawa Ryota;Nishibayashi Toma;Yabutani Ayumu;Yamada Ryoya;Imoto Yoshinori;Kondo Ryosuke;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Shojiki Kanako;Kumagai Shinya;Miyake Hideto;Iwaya Motoaki
通讯作者：
Iwaya Motoaki

空港におけるユニバーサル・デザインの取り組み（東京国際空港国際線ターミナルの事例）

机场的通用设计举措（以东京国际机场国际航站楼为例）

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Iida Ryosuke;Ueshima Yusuke;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu;丹羽菜生
通讯作者：
丹羽菜生

GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件

DOI：
10.1088/1361-6641/abeb82
发表时间：
2021
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps

AlInN/GaN 分布式布拉格反射器在包含衬底升温步骤的生长过程中的原位曲率测量

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Hiraiwa Kei;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

Demonstration of ultraviolet-B AlGaN-based laser diode operation with a peak light output power of 150 mW by improving injection efficiency through polarization charge modulation

通过偏振电荷调制提高注入效率，演示基于 UV-B AlGaN 的激光二极管的运行，峰值光输出功率为 150 mW

DOI：
10.1063/5.0135033
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Kondo Ryosuke;Yabutani Ayumu;Omori Tomoya;Yamada Kazuki;Matsubara Eri;Hasegawa Ryota;Nishibayashi Toma;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Miyake Hideto;Iwaya Motoaki
通讯作者：
Iwaya Motoaki