Optical and electric-field control of pure spin current transport
Optical and electric-field control of pure spin current transport
批准号:
16H02333
负责人:
HAMAYA Kohei
金额:
$28.45万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(141)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Correlation between spin transport signal and Heusler/semiconductor interface quality in lateral spin-valve devices
横向自旋阀器件中自旋输运信号与 Heusler/半导体界面质量之间的相关性
DOI:
10.1103/physrevb.98.115304
发表时间:
2018
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Achinuq B]
通讯作者:
Achinuq B
ゲルマニウムスピントロニクスにおける高品質ヘテロ接合の重要性と課題
高质量异质结在锗自旋电子学中的重要性和挑战
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yusuke Kanno, Kosuke Ino, Hiroya Abe, Mayuko Terauchi, Kumi Y. Inoue, Masahki Matsudaira, Atsushi Suda, Ryota Kunikata, Hitoshi Shiku, Tomokazu Matsue, 内田典子,久保田健吾,会田俊介,風間聡, 後藤芳顯, 浜屋宏平]
通讯作者:
浜屋宏平
Spin-dependent transport in ferromagnet-germanium structures for spintronic applications
用于自旋电子应用的铁磁体-锗结构中的自旋相关输运
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[阿部隆一, 落合秀樹, K. Hamaya]
通讯作者:
K. Hamaya
スピンギャップレス系ホイスラー合金薄膜のMBE成長とその磁気伝導特性
无自旋间隙赫斯勒合金薄膜的MBE生长及其磁导性能
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山田晋也, 有馬圭亮, 小林慎也, 工藤康平, 沖宗一郎, 浜屋宏平]
通讯作者:
浜屋宏平
Atomic and Electronic study of Co2FeAl0.5Si0.5/Ge(111) interface
Co2FeAl0.5Si0.5/Ge(111)界面的原子电子学研究
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[B. Kuerbanjiang, Z. Nedelkoski, D. Kepaptsoglou, A. Ghasemi, S. E. Glover, S. Yamada, A. Sanchez, Q. M. Ramasse, T. P. Hase, G. Bell, K. Hamaya, A. Hirohata and V. Lazarov]
通讯作者:
A. Hirohata and V. Lazarov
共 127 条
Control of spin polarization of ferromagnetic alloys in a microscopic area in a Si platform
-
批准号:23656223
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额:$2.5万
-
财政年份:2011
-
负责人:HAMAYA Kohei
-
依托单位:
Epitaxial growth of SiGe films on ferromagnetic alloys and its application to vertical spin devices
-
批准号:22686003
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
-
资助金额:$16.56万
-
财政年份:2010
-
负责人:HAMAYA Kohei
-
依托单位:
Lateral spin transport in silicon-based low-dimensional systems
-
批准号:20760009
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$2.75万
-
财政年份:2008
-
负责人:HAMAYA Kohei
-
依托单位:
海外基金