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Conductivity control of semiconducting silicides by composition ratios and formation of homojunction solar cells on glass substrates

通过成分比控制半导体硅化物的电导率以及在玻璃基板上形成同质结太阳能电池

基本信息

批准号：
18H03767
负责人：
Suemasu Takashi
金额：
$ 22.05万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（63）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Comparison of C doping technique between SiC and C targets for high-photoresponsivity BaSi2 films by radio-frequency sputtering

射频溅射高光响应BaSi2薄膜SiC和C靶材C掺杂技术比较

DOI：
10.35848/1347-4065/abf317
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Taira Nemoto;Ryota Koitabashi;Masami Mesuda;Kaoru Toko;Takashi Suemasu
通讯作者：
Takashi Suemasu

Mechanisms of carrier lifetime enhancement and conductivity-type switching on hydrogen-incorporated arsenic-doped BaSi2

氢掺砷BaSi2载流子寿命增强和导电类型转换机制

DOI：
10.1016/j.tsf.2021.138629
发表时间：
2021
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
Sho Aonuki;Zhihao Xu;Yudai Yamashita;Kazuhiro Gotoh;Kaoru Toko;Noritaka Usami;Andrew B. Filonov;Siarhei A. Nikitsiuk;Dmitri B. Migas;Denis A. Shohonov;Takashi Suemasu
通讯作者：
Takashi Suemasu

Effects of molecular beam epitaxy growth conditions on grain size and lattice strain in a-axis-oriented BaSi2 films

分子束外延生长条件对a轴取向BaSi2薄膜晶粒尺寸和晶格应变的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/ab6b7a
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yamashita Yudai;Sato Takuma;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

Remarkable improvement of the optical properties of As-doped n-BaSi2 films

As掺杂n-BaSi2薄膜光学性能显着改善

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sho Aonuki;Kaoru Toko;and Takashi Suemasu
通讯作者：
and Takashi Suemasu

Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films and the effect of atomic hydrogen passivation by photoluminescence measurement

通过光致发光测量研究未掺杂 BaSi2 外延膜中的缺陷水平以及原子氢钝化的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
L. Benincasa;H. Hoshida;T. Deng;T. Sato;Z. Xu;K. Toko;Y. Terai;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

DOI：
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作者：
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Suemasu Takashi其他文献

Formation of NiO films by reactive sputtering and application to BaSi2 heterojunction solar cells as hole-selective interlayer material

反应溅射法形成NiO薄膜及其作为空穴选择性中间层材料在BaSi2异质结太阳能电池中的应用

DOI：
10.35848/1347-4065/aca770
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Takenaka Haruki;Hasebe Hayato;Kido Kazuki;Koitabashi Ryota;Mesuda Masami;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

水素ベース高圧プラズマを用いた金属の化学加工法の開発

氢基高压等离子体金属化学处理方法的开发

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Murata Hiromasa;Nozawa Koki;Saitoh Noriyuki;Yoshizawa Noriko;Suemasu Takashi;Toko Kaoru;安東卓洋，白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
通讯作者：
安東卓洋，白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌

Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors

Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响

DOI：
10.1109/led.2021.3119014
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Imajo Toshifumi;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru
通讯作者：
Toko Kaoru

XENONnT実験のための液体キセノン純化システムのコミッショニング

XENONnT 实验液氙净化系统的调试

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ito Keita;Yasutomi Yoko;Zhu Siyuan;Nurmamat Munisa;Tahara Masaki;Toko Kaoru;Akiyama Ryota;Takeda Yukiharu;Saitoh Yuji;Oguchi Tamio;Kimura Akio;Suemasu Takashi;加藤伸行他XENON Collaboration
通讯作者：
加藤伸行他XENON Collaboration

Growth conditions for high-photoresponsivity randomly oriented polycrystalline BaSi2 films by radio-frequency sputtering: Comparison with BaSi2 epitaxial films

射频溅射高光响应随机取向多晶 BaSi2 薄膜的生长条件：与 BaSi2 外延薄膜的比较

DOI：
10.35848/1882-0786/ac4676
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Koitabashi Ryota;Kido Kazuki;Hasebe Hayato;Yamashita Yudai;Toko Kaoru;Mesuda Masami;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi