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Study of thermoelectric properties of semiconducting silicides

Study of thermoelectric properties of semiconducting silicides
半导体硅化物热电性能研究
批准号：
26630120
负责人：
Suemasu Takashi
金额：
$2.08万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630120/
关键词：
熱電材料不純物ドーピングシリサイドゼーベック係数熱電特性BaSi2

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ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製
螺旋波等离子体溅射法制备BaSi2薄膜
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [横山 晟也, 召田 雅実, 倉持 豪人, 都甲薫, 末益 崇]
通讯作者： 末益 崇
RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成,
采用射频溅射法形成多晶BaSi2薄膜，
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Konishi, K. Obase, K. Takahashi and K. Takaki, 横山 晟也]
通讯作者： 横山 晟也
環境半導体・磁性体研究室
环境半导体/磁性材料实验室
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
RFスパッタ法により作製したBaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価
射频溅射法制备BaSi2薄膜表面晶界电位评价
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Yamashita, Y. Yamada, K. Hashimoto, T. Sasaki, H. Okuzaki, C. Otani, 末益　崇]
通讯作者： 末益　崇
共 6 条
    Studies on nitride-based spintronics materials with perpendicular magnetic anisotropy
    • 批准号：
      19K21954
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Suemasu Takashi
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Conductivity control of semiconducting silicides by composition ratios and formation of homojunction solar cells on glass substrates
    • 批准号：
      18H03767
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $22.05万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Suemasu Takashi
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Formation of oxygen-doped semiconducting silicides for top-cell materials in Si-based tandem solar cells
    • 批准号：
      17K18865
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Suemasu Takashi
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    海外基金