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Study of thermoelectric properties of semiconducting silicides

半导体硅化物热电性能研究

基本信息

批准号：
26630120
负责人：
Suemasu Takashi
金额：
$ 2.08万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製

螺旋波等离子体溅射法制备BaSi2薄膜

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
横山晟也;召田雅実;倉持豪人;都甲薫;末益崇
通讯作者：
末益崇

RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成,

采用射频溅射法形成多晶BaSi2薄膜，

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Konishi; K. Obase; K. Takahashi and K. Takaki;横山晟也
通讯作者：
横山晟也

環境半導体・磁性体研究室

环境半导体/磁性材料实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

RFスパッタ法により作製したBaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価

射频溅射法制备BaSi2薄膜表面晶界电位评价

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Yamashita;Y. Yamada;K. Hashimoto;T. Sasaki;H. Okuzaki;C. Otani;末益　崇
通讯作者：
末益　崇

Fabrication of BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer

在带有预沉积 Si 层的加热玻璃基板上通过射频溅射制备 BaSi2 薄膜

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Yamashita;Y. Yamada;K. Hashimoto;T. Sasaki;H. Okuzaki;C. Otani;末益　崇;Ｎｕｒｕｌ　Ａｍａｌ　Ａｂｄｕｌ　Ｌａｔｉｆｆ
通讯作者：
Ｎｕｒｕｌ　Ａｍａｌ　Ａｂｄｕｌ　Ｌａｔｉｆｆ

DOI：
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作者：
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Suemasu Takashi其他文献

Formation of NiO films by reactive sputtering and application to BaSi2 heterojunction solar cells as hole-selective interlayer material

反应溅射法形成NiO薄膜及其作为空穴选择性中间层材料在BaSi2异质结太阳能电池中的应用

DOI：
10.35848/1347-4065/aca770
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Takenaka Haruki;Hasebe Hayato;Kido Kazuki;Koitabashi Ryota;Mesuda Masami;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

水素ベース高圧プラズマを用いた金属の化学加工法の開発

氢基高压等离子体金属化学处理方法的开发

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Murata Hiromasa;Nozawa Koki;Saitoh Noriyuki;Yoshizawa Noriko;Suemasu Takashi;Toko Kaoru;安東卓洋，白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
通讯作者：
安東卓洋，白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌

Impact of deposition pressure and two-step growth technique on the photoresponsivity enhancement of polycrystalline BaSi2 films formed by sputtering

沉积压力和两步生长技术对溅射多晶BaSi2薄膜光响应增强的影响

DOI：
10.7567/1882-0786/aafc70
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Matsuno Satoshi;Nemoto Taira;Mesuda Masami;Kuramochi Hideto;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors

Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响

DOI：
10.1109/led.2021.3119014
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Imajo Toshifumi;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru
通讯作者：
Toko Kaoru

XENONnT実験のための液体キセノン純化システムのコミッショニング

XENONnT 实验液氙净化系统的调试

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ito Keita;Yasutomi Yoko;Zhu Siyuan;Nurmamat Munisa;Tahara Masaki;Toko Kaoru;Akiyama Ryota;Takeda Yukiharu;Saitoh Yuji;Oguchi Tamio;Kimura Akio;Suemasu Takashi;加藤伸行他XENON Collaboration
通讯作者：
加藤伸行他XENON Collaboration