Development of fundamental technologies for III-V semiconductor membrane photonic integrated circuits using quantum well intermixing
利用量子阱混合开发III-V族半导体膜光子集成电路基础技术
基本信息
- 批准号:23H00172
- 负责人:
- 金额:$ 30.04万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
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竹中 充其他文献
II-V-OI基板のパターニングによるボイド低減の検討
通过对 II-V-OI 基板进行图案化来减少空隙的考虑
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
高島 成也;一宮 佑希;竹中 充;高木 信一 - 通讯作者:
高木 信一
Ge2Sb2Te3S2に基づく不揮発性相変化中赤外光位相シフタの低損失化,” 第70回応用物理学会春季学術講演会
基于Ge2Sb2Te3S2的低损耗非易失性相变中红外移相器,”第70届日本应用物理学会春季会议
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宮武 悠人;牧野 孝太郎;富永 淳二;宮田 典幸;中野 隆志;岡野 誠;トープラサートポン カシディット;高木 信一;竹中 充 - 通讯作者:
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ツイッターハッシュタグを利用した抗議運動の広がりに関する研究―2021年3月の入管法改正案抗議キャンペーンを事例に―
利用 Twitter 标签对抗议运动的传播进行研究 - 以 2021 年 3 月移民法修正案抗议活动为例 -
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- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
隅田 圭;Chen Chia-Tsong;トープラサートポン カシディット;竹中 充;高木 信一;大茂矢由佳 - 通讯作者:
大茂矢由佳
Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御
Si 上 III/V 族化合物半导体选择性 MOVPE 初始成核过程的观测与控制
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
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- 作者:
出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭 - 通讯作者:
中野 義昭
III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上キャリア注入型InGaAsP可変光減衰器
CMOS 光子平台上的 III-V 载流子注入 InGaAsP 可变光衰减器
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
朴 珍權;韓 在勲;竹中 充;高木 信一 - 通讯作者:
高木 信一
竹中 充的其他文献
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{{ truncateString('竹中 充', 18)}}的其他基金
Optical sensing chip based on Ge mid-infrared integrated photonics
基于Ge中红外集成光子学的光学传感芯片
- 批准号:
17F17071 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
方向性結合器型半導体光増幅器を用いた全光型フリップフロップ
使用定向耦合器型半导体光放大器的全光触发器
- 批准号:
00J09488 - 财政年份:2000
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$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
III-V Semiconductor Platforms and Devices for Nonlinear Integrated Photonics
用于非线性集成光子学的 III-V 半导体平台和器件
- 批准号:
RGPIN-2020-03989 - 财政年份:2022
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Discovery Grants Program - Individual
Graphene in III-V Semiconductor Photonics
III-V 族半导体光子学中的石墨烯
- 批准号:
2602387 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
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'Investigating the impact of Bismuth on the band gap engineering and morphological properties of III/V semiconductor materials grown using MBE'.
“研究铋对使用 MBE 生长的 III/V 半导体材料的带隙工程和形态特性的影响”。
- 批准号:
2602258 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Studentship
III-V Semiconductor Platforms and Devices for Nonlinear Integrated Photonics
用于非线性集成光子学的 III-V 半导体平台和器件
- 批准号:
RGPIN-2020-03989 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Magnetically-Doped III-V Semiconductor Nanostructures
磁掺杂 III-V 族半导体纳米结构
- 批准号:
NE/T014792/1 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Research Grant
III-V Semiconductor Platforms and Devices for Nonlinear Integrated Photonics
用于非线性集成光子学的 III-V 半导体平台和器件
- 批准号:
RGPIN-2020-03989 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for III/V semiconductor crystal dry-etching (RIE) for in-situ identification of self-organized roughness (roughness-RIE-RAS)
用于 III/V 半导体晶体干法蚀刻 (RIE) 的反射各向异性光谱 (RAS),用于原位识别自组织粗糙度 (roughness-RIE-RAS)
- 批准号:
423491951 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Research Grants
Heavy Cyanate Analogues as Precursors to Group III-V Semiconductor Nanoparticles
作为 III-V 族半导体纳米粒子前体的重氰酸盐类似物
- 批准号:
2329381 - 财政年份:2019
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$ 30.04万 - 项目类别:
Studentship
Charge Carrier Transport Analysis in Radial and Axial Charge-Separating Junctions of III/V Semiconductor Nanowires
III/V 半导体纳米线径向和轴向电荷分离结中的载流子传输分析
- 批准号:
428769263 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Research Grants
Photonic sensing platform based on photocorrosion of III-V semiconductor microstructures
基于III-V族半导体微结构光腐蚀的光子传感平台
- 批准号:
RGPIN-2015-04448 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual