Development of fundamental technologies for III-V semiconductor membrane photonic integrated circuits using quantum well intermixing

利用量子阱混合开发III-V族半导体膜光子集成电路基础技术

基本信息

  • 批准号:
    23H00172
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.04万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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II-V-OI基板のパターニングによるボイド低減の検討
通过对 II-V-OI 基板进行图案化来减少空隙的考虑
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    高木 信一
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基于Ge2Sb2Te3S2的低损耗非易失性相变中红外移相器,”第70届日本应用物理学会春季会议
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    竹中 充
ツイッターハッシュタグを利用した抗議運動の広がりに関する研究―2021年3月の入管法改正案抗議キャンペーンを事例に―
利用 Twitter 标签对抗议运动的传播进行研究 - 以 2021 年 3 月移民法修正案抗议活动为例 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    隅田 圭;Chen Chia-Tsong;トープラサートポン カシディット;竹中 充;高木 信一;大茂矢由佳
  • 通讯作者:
    大茂矢由佳
Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御
Si 上 III/V 族化合物半导体选择性 MOVPE 初始成核过程的观测与控制
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  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭
  • 通讯作者:
    中野 義昭
III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上キャリア注入型InGaAsP可変光減衰器
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    高木 信一

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用于 III/V 半导体晶体干法蚀刻 (RIE) 的反射各向异性光谱 (RAS),用于原位识别自组织粗糙度 (roughness-RIE-RAS)
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    $ 30.04万
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