方向性結合器型半導体光増幅器を用いた全光型フリップフロップ

使用定向耦合器型半导体光放大器的全光触发器

基本信息

  • 批准号:
    00J09488
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.92万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.方向性結合器型双安定レーザーの特性評価昨年度において作製した方向性結合器型双安定レーザのさらなる特性評価を行った。オン動作に関しては、30nm以上の波長範囲で動作することが分かった。またスイッチングに必要な光強度は最小で0.1mW程度になることが分かった。オフ動作に関して、発振波長近傍とそれより長波側の波長範囲で動作することが分かった。オフ動作は平均で約1mWになることが確かめられた。また電流バイアスによる特性の変化も測定して、リセット・ポートへの電流に対しても、実用上充分なトレランスが取れることが分かった。2.方向性結合器型双安定レーザの小型化従来の設計ではデバイスの長さが1300μmと設計されていた。この為にスイッチング速度が遅くなってしまう問題があった。これを解決するために、デバイスの小型化に必要な設計を行った。昨年度において作製したFinite Element Beam Propagation Method(FD-BPM)を改良したシミュレータを用いて特性解析をした結果、デバイスの全長を500μm以下にすることができることが分かった。この設計の基づき、小型化したデバイスの作製を行った。小型化に伴い、リセット・ポート電極にコンタクトをとることが困難になった。この問題を解決するために、リセット・ポート電極を隣の未使用電極にブリッジするプロセスを考案した。このプロセスはリフト・オフを用いるもので自己形成的に電極ブリッジすることに成功した。実際に作製した小型デバイスを用いて、数値計算によって得られたものと同様の光フリップ・フロップ特性を得ることに成功した。これによりデバイスを約1/3に縮小することに成功した。
1. Evaluation of the characteristics of directional combiner-type bistable systems The wavelength range above 30nm is about 10 nm. The minimum light intensity is 0.1mW. The wavelength range of the transmission wavelength is near the wavelength range of the transmission wavelength, and the wavelength range of the transmission wavelength is near the wavelength range. On average, the motion is about 1mW. The characteristics of the current field are measured in detail. The current field is measured in detail. 2. The design of miniaturization of directional combiner type bistable film is as long as 1300μm. The speed of this problem is very high. This solution is necessary for miniaturization. Last year, the Finite Element Beam Propagation Method(FD-BPM) was improved to analyze the characteristics of the beam. The total length of the beam was less than 500μm. The design of the base, miniaturization of the production of the system. Miniaturization is a difficult problem for small electrodes. This problem is solved by examining the potential of the unused electrode adjacent to the electrode. This is the first time I've ever seen an electrode that's been successfully formed. In the process of manufacturing, the small size of the machine is used, and the numerical value is calculated. About 1/3 of the time.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
竹中充, 中野義昭: "方向性結合器双安定レーザ構造を有する半導体全光フリップ・フロップの実現"第63回応用物理学会学術講演会. (2002)
Mitsuru Takenaka、Yoshiaki Nakano:“具有定向耦合器双稳态激光器结构的半导体全光触发器的实现”日本应用物理学会第 63 届年会(2002 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
竹中 充: "非線形カプラを有する双安定半導体レーザを用いた全光フリップ・フロップに関する研究"東京大学博士論文. 151 (2003)
Mitsuru Takenaka:“使用非线性耦合器的双稳态半导体激光器的全光触发器的研究”,东京大学博士论文151(2003)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
竹中充, 中野義昭: "方向性結合器を有する双安定性半導体レーザによる全光フリップ・フロップの実現"第4回PNI研究会. 23-27 (2002)
Mitsuru Takenaka、Yoshiaki Nakano:“使用具有定向耦合器的双稳态半导体激光器实现全光学触发器”第 4 届 PNI 研究组 (2002)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Takenaka, Y.Nakano: "Proposal of an all-optical flip-flop using a cross-coupled MMI bistable laser diodes"11th European Conference on Integrated Optics. 335-338 (2003)
M.Takenaka、Y.Nakano:“使用交叉耦合 MMI 双稳态激光二极管的全光触发器的提案”第 11 届欧洲集成光学会议。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Takenaka, Y.Nakano: "Numerical analysis of directionally coupled bistable laser diode by finite difference beam propagation method for all-optical flip-flop application"Optical Internet and Photonic in Switching. 79-80 (2002)
M.Takenaka、Y.Nakano:“通过有限差分光束传播方法对全光触发器应用的定向耦合双稳态激光二极管进行数值分析”光学互联网和光子开关。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

竹中 充其他文献

Ge2Sb2Te3S2に基づく不揮発性相変化中赤外光位相シフタの低損失化,” 第70回応用物理学会春季学術講演会
基于Ge2Sb2Te3S2的低损耗非易失性相变中红外移相器,”第70届日本应用物理学会春季会议
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮武 悠人;牧野 孝太郎;富永 淳二;宮田 典幸;中野 隆志;岡野 誠;トープラサートポン カシディット;高木 信一;竹中 充
  • 通讯作者:
    竹中 充
II-V-OI基板のパターニングによるボイド低減の検討
通过对 II-V-OI 基板进行图案化来减少空隙的考虑
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高島 成也;一宮 佑希;竹中 充;高木 信一
  • 通讯作者:
    高木 信一
ツイッターハッシュタグを利用した抗議運動の広がりに関する研究―2021年3月の入管法改正案抗議キャンペーンを事例に―
利用 Twitter 标签对抗议运动的传播进行研究 - 以 2021 年 3 月移民法修正案抗议活动为例 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    隅田 圭;Chen Chia-Tsong;トープラサートポン カシディット;竹中 充;高木 信一;大茂矢由佳
  • 通讯作者:
    大茂矢由佳
Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御
Si 上 III/V 族化合物半导体选择性 MOVPE 初始成核过程的观测与控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭
  • 通讯作者:
    中野 義昭
III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上キャリア注入型InGaAsP可変光減衰器
CMOS 光子平台上的 III-V 载流子注入 InGaAsP 可变光衰减器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    朴 珍權;韓 在勲;竹中 充;高木 信一
  • 通讯作者:
    高木 信一

竹中 充的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('竹中 充', 18)}}的其他基金

Development of fundamental technologies for III-V semiconductor membrane photonic integrated circuits using quantum well intermixing
利用量子阱混合开发III-V族半导体膜光子集成电路基础技术
  • 批准号:
    23H00172
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Optical sensing chip based on Ge mid-infrared integrated photonics
基于Ge中红外集成光子学的光学传感芯片
  • 批准号:
    17F17071
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

Development of semiconductor laser pumped nitride semiconductor waveguide nonlinear optical devices for squeezed light generation
用于压缩光产生的半导体激光泵浦氮化物半导体波导非线性光学器件的开发
  • 批准号:
    19H02631
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Quantum-dot semiconductor waveguide gain materials and their applications
量子点半导体波导增益材料及其应用
  • 批准号:
    355624-2008
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Quantum-dot semiconductor waveguide gain materials and their applications
量子点半导体波导增益材料及其应用
  • 批准号:
    355624-2008
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Quantum-dot semiconductor waveguide gain materials and their applications
量子点半导体波导增益材料及其应用
  • 批准号:
    355624-2008
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
光相互配線網形成を目指した半導体導波路アレイ型高速光偏向素子の開発
开发旨在形成光互连网络的半导体波导阵列型高速光偏转元件
  • 批准号:
    06650059
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
High Speed Active Semiconductor Waveguide Switching Devices and Quantum Dot Lasers
高速有源半导体波导开关器件和量子点激光器
  • 批准号:
    9314701
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Engineering Research Equipment Grant: Integrated Semiconductor Waveguide/Etalon Optical Based Logic Networks
工程研究设备补助金:集成半导体波导/标准具光学逻辑网络
  • 批准号:
    8806414
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了