刷新
{{item.name}}会员
OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術
OVPE法扩径超厚膜GaN晶锭生产技术
基本信息
- 批准号：23H00275
- 负责人：
- 金额：$ 30.37万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
森 勇介其他文献
OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長
OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
今西 正幸;小林 大也;奥村 加奈子;細川 敬介;宇佐美 茂佳;富樫 理恵;秦 雅彦;森 勇介 - 通讯作者：
森 勇介
Polarity inversion of GaN films by metalorganic vapor epitaxy using an AlN interlayer
使用 AlN 中间层通过金属有机气相外延实现 GaN 薄膜的极性反转
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
髙橋 響;糸澤 孝一;Ricksen Tandryo;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介;Tomoyuki Tanikawa - 通讯作者：
Tomoyuki Tanikawa
GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光
GaN 垂直 pn 二极管独特的光致发光发射
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
谷川智之;塚越真悠子;宇佐美茂佳;今西正幸;森 勇介;川崎晟也;田中敦之;本田善央;天野 浩;上向井正裕;片山竜二 - 通讯作者：
片山竜二
低転位自立基板を用いたOVPE-GaN結晶の転位低減
使用低位错自支撑衬底减少 OVPE-GaN 晶体中的位错
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
相原 正実;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;秦 雅彦;伊勢村 雅士;森 勇介 - 通讯作者：
森 勇介
電子線トモグラフィ（3D-TEM）を用いたソフトマテリアルの構造解析
使用电子断层扫描 (3D-TEM) 进行软材料结构分析
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
郡司 祥和;山口 陽平;石橋 桂樹;津野 慎太郎;北本 啓;今西 正幸;吉村 政志;今出 完;伊勢村 雅士;森 勇介;樋口剛志 - 通讯作者：
樋口剛志
森 勇介的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('森 勇介', 18)}}的其他基金
n型窒化アルミ/p型ダイヤモンド・ヘテロ構造による高効率冷陰極の作製
利用n型氮化铝/p型金刚石异质结构制备高效冷阴极
- 批准号：
08875067 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 30.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
相似海外基金
Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
无毒气体OVPE法高品质氧化镓晶体生长技术
- 批准号：
21K18910 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 30.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Growth of a thick GaN crystal with extremely low resistivity by the OVPE method
采用 OVPE 法生长极低电阻率的厚 GaN 晶体
- 批准号：
20H00352 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 30.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)