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Growth of a thick GaN crystal with extremely low resistivity by the OVPE method

Growth of a thick GaN crystal with extremely low resistivity by the OVPE method
采用 OVPE 法生长极低电阻率的厚 GaN 晶体
批准号：
20H00352
负责人：
Mori Yusuke
金额：
$29.79万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H00352/
关键词：
OVPEGaNPNダイオード低抵抗気相成長低転位

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"Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density"
“通过使用低位错密度的独立式衬底减少 OVPE-GaN 中的位错”
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [1.Masami Aihara, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura and Yusuke Mori,]
通讯作者： Masashi Isemura and Yusuke Mori,
高周波デバイス高性能化に向けたGaN結晶育成技術
提高高频器件性能的GaN晶体生长技术
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [森 勇介, 今西 正幸, 宇佐美 茂佳, 吉村 政志, 守山 実希]
通讯作者： 守山 実希
"高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制"
“抑制反应器壁多晶以增厚高速 OVPE-GaN 晶体”
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [3.川波 一貴, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介]
通讯作者： 森 勇介
Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates
DOI： 10.1063/5.0053766
发表时间： 2021-06-14
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Hamachi, T., Tohei, T., Sakai, A.]
通讯作者： Sakai, A.
Toward an Integrating Theory of Firm Boundaries
  • 批准号：
    19K13702
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $0.92万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Mori Yusuke
  • 依托单位：
    Ritsumeikan University
国内基金
海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学