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Growth of a thick GaN crystal with extremely low resistivity by the OVPE method

采用 OVPE 法生长极低电阻率的厚 GaN 晶体

基本信息

批准号：
20H00352
负责人：
Mori Yusuke
金额：
$ 29.79万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H00352/
关键词：
OVPE GaN PNダイオード低抵抗気相成長低転位

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

"Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density"

“通过使用低位错密度的独立式衬底减少 OVPE-GaN 中的位错”

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
1.Masami Aihara;Shigeyoshi Usami;Masayuki Imanishi;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Masahiko Hata;Masashi Isemura and Yusuke Mori,
通讯作者：
Masashi Isemura and Yusuke Mori,

高周波デバイス高性能化に向けたGaN結晶育成技術

提高高频器件性能的GaN晶体生长技术

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
森勇介;今西正幸;宇佐美茂佳;吉村政志;守山実希
通讯作者：
守山実希

"高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制"

“抑制反应器壁多晶以增厚高速 OVPE-GaN 晶体”

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
3.川波一貴;宇佐美茂佳;今西正幸;丸山美帆子;吉村政志;隅智亮;滝野淳一;岡山芳央;秦雅彦;伊勢村雅士;森勇介
通讯作者：
森勇介

Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

DOI：
10.1063/5.0053766
发表时间：
2021-06-14
期刊：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.2
作者：
Hamachi, T.;Tohei, T.;Sakai, A.
通讯作者：
Sakai, A.

DOI：
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作者：
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Mori Yusuke其他文献

Ex ante investment, ex post adaptation, and joint ownership

事前投资、事后适应和共同所有权

DOI：
10.1016/j.econlet.2019.108927
发表时间：
2020
期刊：
Economics Letters
影响因子：
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Taisuke Sadayuki;Kei Harano;Fukuju Yamazaki;定行泰甫;David Walf;矢島猶雅;David Walf;定行泰甫;定行泰甫;定行泰甫;金山友喜;矢島猶雅;一般社団法人日本家政学会住居学部会;山崎福寿　他多数;Mori Yusuke
通讯作者：
Mori Yusuke

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期刊：
影响因子：
0
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影响因子：
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期刊：
Current Biology
影响因子：
9.2
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三方 ABC 转运蛋白 MacB 的结构

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
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0
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Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森　貴夫;Satoshi Murakami
通讯作者：
Satoshi Murakami