Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
无毒气体OVPE法高品质氧化镓晶体生长技术
批准号：
21K18910
负责人：
Imanishi Masayuki
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
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金属酸化物結晶の製造方法、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板の製 造方法、半導体装置の製造方法、金属酸化物結晶、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基 板、半導体装置、及び金属酸化物結晶製造装置
金属氧化物晶体的制造方法、金属氧化物外延晶体层叠基板的制造方法、半导体装置的制造方法、金属氧化物晶体、金属氧化物外延晶体层叠基板、半导体装置以及金属氧化物晶体的制造装置
金属氧化物晶体的制造方法、金属氧化物外延晶体层叠基板的制造方法、半导体装置的制造方法、金属氧化物晶体、金属氧化物外延晶体层叠基板、半导体装置以及金属氧化物晶体的制造装置
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長
OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[今西 正幸, 小林 大也, 奥村 加奈子, 細川 敬介, 宇佐美 茂佳, 富樫 理恵, 秦 雅彦, 森 勇介]
通讯作者：
森 勇介
Ga2O, H2O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討
使用Ga2O和H2O源气体高温高速生长氧化镓的热力学研究
使用Ga2O和H2O源气体高温高速生长氧化镓的热力学研究
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富樫 理恵，鈴木 明香里，石田 遥夏, 宇佐美 茂佳,今西 正幸， 秦 雅彦，森 勇介]
通讯作者：
宇佐美 茂佳,今西 正幸， 秦 雅彦，森 勇介
Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
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批准号：20H02639
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.65万
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财政年份：2020
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负责人：Imanishi Masayuki
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依托单位：
Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
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批准号：18K14138
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2018
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负责人：Imanishi Masayuki
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依托单位：
海外基金