Development of high performance large size x-ray video camera using CdTe layers grown on Si substrates

使用硅衬底上生长的 CdTe 层开发高性能大尺寸 X 射线摄像机

• 批准号: 25242048
• 负责人: Yasuda Kazuhito
• 金额: $ 19.05万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25242048/
• 关键词: 放射線検出器; CdTe; エピタキシャル成長; 電子デバイス

项目成果

HBr系エッチング液によるCdTe検出器の表面処理の検討

HBr基蚀刻液对CdTe探测器表面处理的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: 神野 悟史;ニラウラ マダン;安田 和人 他
• 通讯作者: 安田 和人 他

名古屋工業大学安田研究室

名古屋工业大学安田实验室

MOVPE法による(211)CdTe／Si成長層のエッチピット評価

MOVPE法评价(211)CdTe/Si生长层的蚀坑

• 发表时间: 2016
• 作者: 坪田眞太郎;杉本 宗一郎;伊藤 祐葵;山崎 大輔;神野 悟史;小島 將弘;北川 翔三;安田 和人;ニラウラ マダン､安形 保則
• 通讯作者: ニラウラ マダン､安形 保則

Surface processing of CdTe detectors using hydrogen bromide-based etching solution

使用溴化氢蚀刻液对 CdTe 探测器进行表面处理

• DOI: 10.1109/led.2015.2450835
• 发表时间: 2015
• 期刊: IEEE Electron Device Letters
• 影响因子: 4.9
• 作者: M.Niraula;K.Yasuda;N.Takai;M.Matsumoto;Y.Suzuki;Y.Tsukamoto;Y.Ito; S.Sugimoto;S.Kouno;D.Yamazaki;Y.Agata
• 通讯作者: Y.Agata

MOVPE法による(211)及び(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性

MOVPE 法在 (211) 和 (100) Si 衬底上生长 CdTe 层的光致发光特性

• 发表时间: 2016
• 作者: 北川 翔三;神野 悟史;伊藤 祐葵;杉本 宗一郎;山崎 大輔;小島 將弘;坪田眞太郎;､安形 保則;ニラウラ マダン;安田 和人
• 通讯作者: 安田 和人