High-quality and Low-resistant SiC crystal
High-quality and Low-resistant SiC crystal
高品质低电阻SiC晶体
批准号：
25249034
负责人：
Kamei Kazuhito
金额：
$29.95万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(7)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method
溶液法生长的4H-SiC晶体中载流子浓度的空间分布
溶液法生长的4H-SiC晶体中载流子浓度的空间分布
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Mater. Sci. Forum
影响因子：
--
作者：
[Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara]
通讯作者：
T. Ujihara
Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents
使用多组分溶剂在 SiC 溶液生长过程中通过硅与碳的活性比进行多型控制
使用多组分溶剂在 SiC 溶液生长过程中通过硅与碳的活性比进行多型控制
DOI：
10.7567/jjap.55.01ac01
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara]
通讯作者：
T. Ujihara
窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察
氮掺杂4H-SiC堆垛层错膨胀和收缩行为的高温原位观察
氮掺杂4H-SiC堆垛层错膨胀和收缩行为的高温原位观察
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹,]
通讯作者：
宇治原 徹,
Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent
使用 Si-Ti 溶剂通过顶晶溶液生长技术进行 4H-SiC 氮掺杂
使用 Si-Ti 溶剂通过顶晶溶液生长技术进行 4H-SiC 氮掺杂
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044
发表时间：
2014
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada and Toru Ujihara]
通讯作者：
S. Harada and Toru Ujihara
N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique
顶晶溶液生长技术对 4H-SiC 进行 N 型掺杂
顶晶溶液生长技术对 4H-SiC 进行 N 型掺杂
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara]
通讯作者：
and T. Ujihara
共 6 条
海外基金