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High-quality and Low-resistant SiC crystal
高品质低电阻SiC晶体
基本信息
- 批准号：25249034
- 负责人：
- 金额：$ 29.95万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method
溶液法生长的4H-SiC晶体中载流子浓度的空间分布
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Z. Wang;T. Kawaguchi;K. Murayama;K. Aoyagi;S. Harada;M. Tagawa;T. Sakai;T. Kato;T. Ujihara
- 通讯作者：T. Ujihara
Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents
使用多组分溶剂在 SiC 溶液生长过程中通过硅与碳的活性比进行多型控制
- DOI：10.7567/jjap.55.01ac01
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Horio;S. Harada;D. Koike;K. Murayama;K. Aoyagi;T. Sakai;M. Tagawa;T. Ujihara
- 通讯作者：T. Ujihara
窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察
氮掺杂4H-SiC堆垛层错膨胀和收缩行为的高温原位观察
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：藤榮 文博;原田 俊太;村山 健太;花田 賢志;陳 鵬磊;田川 美穂;加藤 智久;宇治原 徹,
- 通讯作者：宇治原 徹,
Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent
使用 Si-Ti 溶剂通过顶晶溶液生长技术进行 4H-SiC 氮掺杂
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：K. Kusunoki;K. Kamei;K. Seki;S. Harada and Toru Ujihara
- 通讯作者：S. Harada and Toru Ujihara
N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique
顶晶溶液生长技术对 4H-SiC 进行 N 型掺杂
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kusunoki;K. Kamei;K. Seki;S. Harada;and T. Ujihara
- 通讯作者：and T. Ujihara
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