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Study of carrier scattering mechanisms by Ge isotope and interface roughness in Ge thin films

Study of carrier scattering mechanisms by Ge isotope and interface roughness in Ge thin films
Ge同位素和Ge薄膜界面粗糙度的载流子散射机制研究
批准号：
25249032
负责人：
Toriumi Akira
金额：
$29.87万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25249032/
关键词：
電子デバイス半導体物性ゲルマニウム同位体界面散乱

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发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi]
通讯作者： K. Nagashio and A. Toriumi
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期刊：
影响因子： --
作者： [鈴木崇文, 呉景龍, 高橋智, 楊家家, 李修軍, 小山竜史, 其格其, 林正龍, 郭嘉躍, C. Lu]
通讯作者： C. Lu
共 98 条
    Study of oxidation mechanisms in Ge and SiGe
    • 批准号：
      16H02331
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.29万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Toriumi Akira
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金