Study of carrier scattering mechanisms by Ge isotope and interface roughness in Ge thin films

Ge同位素和Ge薄膜界面粗糙度的载流子散射机制研究

基本信息

  • 批准号：
    25249032
  • 负责人：
    Toriumi Akira
  • 金额：
    $ 29.87万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（105）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
"Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface"
“YScO3 对 Ge 栅极堆栈在 EOT 减少以及界面方面的影响”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    C. Lu;C.H. Lee;T. Nishimura1,2;K. Nagashio and A. Toriumi
  • 通讯作者：
    K. Nagashio and A. Toriumi
"Validity of Direct-gap Photoluminescence Analysis for Nondestructive Characterization of Oxide/Germanium Interface"
“直接间隙光致发光分析对氧化物/锗界面无损表征的有效性”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Kabuyanagi;T. Nishimura;T. Yajima;K. Nagashio;and A. Toriumi
  • 通讯作者：
    and A. Toriumi
"Be more positive about Ge FETs"
“对 Ge FET 更加积极”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryan G. Banal;Masataka Imura,1;Daiju Tsuya;Hideo Iwai;and Yasuo Koide;A. Toriumi
  • 通讯作者：
    A. Toriumi
"Network modification of GeO2 by intermixing with trivalent oxides (Sc, Y and La)"
“通过与三价氧化物（Sc、Y 和 La）混合对 GeO2 进行网络改性”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    鈴木崇文;呉景龍;高橋智;楊家家;李修軍;小山竜史;其格其;林正龍;郭嘉躍;C. Lu
  • 通讯作者：
    C. Lu
「Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO2 Network Modification」
“通过 GeO2 网络修改形成可靠性感知的锗门堆栈”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Cimang Lu;Choong Hyun Lee;Tomonori Nishimura;Kosuke Nagashio;Akira Toriumi
  • 通讯作者：
    Akira Toriumi
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Nanoscale characterization techniques for ultra-thin van der Waals semiconductors based on scanning nonlinear dielectric microscopy
基于扫描非线性介电显微镜的超薄范德华半导体纳米表征技术
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira;Kohei Yamasue and Yasuo Cho
  • 通讯作者：
    Kohei Yamasue and Yasuo Cho
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira;宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
  • 通讯作者：
    宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
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  • 发表时间：
    2016-01
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Zhang Wenfeng;Nishimura Tomonori;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
    Toriumi Akira
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
  • DOI：
    10.1002/aelm.202100842
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Advanced Electronic Materials
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
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    $ 29.87万
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  • 资助金额：
    $ 29.87万
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    Grant-in-Aid for Co-operative Research
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  • 批准号：
    X40065------4044
  • 财政年份：
    1965
  • 资助金额：
    $ 29.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research
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