Study of oxidation mechanisms in Ge and SiGe

Ge和SiGe的氧化机理研究

基本信息

  • 批准号：
    16H02331
  • 负责人：
    Toriumi Akira
  • 金额：
    $ 29.29万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
SiGeの熱酸化機構
SiGe的热氧化机理
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    宋 宇振;李 秀妍;野間 勇助;西村 知紀;鳥海 明
  • 通讯作者：
    鳥海 明
"Materials And Process Controls For Scalable and Reliable Germanium Gate Stacks"
“可扩展且可靠的锗门堆栈的材料和过程控制”
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    呂 琳;熊谷征久;鈴木匠; 東川 甲平;木須 隆暢;Akira. Toriumi
  • 通讯作者：
    Akira. Toriumi
"Study of Thermal Oxidation Mechanism of Germanium"
《锗的热氧化机理研究》
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Wang Xu;西村 知紀;矢嶋 赳彬;鳥海 明
  • 通讯作者：
    鳥海 明
鳥海研究室ホームページ
鸟海实验室主页
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
アモルファスネットワーク構造の安定性から見たGeO2の脆弱性
从非晶网络结构稳定性角度探讨GeO2的脆弱性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    謝 敏;西村 知紀;矢嶋 赳彬;鳥海 明
  • 通讯作者：
    鳥海 明
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Nanoscale characterization techniques for ultra-thin van der Waals semiconductors based on scanning nonlinear dielectric microscopy
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira;Kohei Yamasue and Yasuo Cho
  • 通讯作者：
    Kohei Yamasue and Yasuo Cho
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使用高效液相色谱追踪金纳米团簇的反应并阐明引入不同金属元素的影响
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
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  • 通讯作者：
    宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
Impact of GeO2 passivation layer quality on band alignment at GeO2/Ge interface studied by internal photoemission spectroscopy
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    10.7567/apex.9.024201
  • 发表时间：
    2016-01
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Zhang Wenfeng;Nishimura Tomonori;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
    Toriumi Akira
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
  • DOI：
    10.1002/aelm.202100842
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Advanced Electronic Materials
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira
  • 通讯作者：
    Toriumi Akira

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    2023
  • 资助金额：
    $ 29.29万
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  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 29.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号：
    23K13741
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 29.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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探索 IV 族半导体量子结构中的自旋相干工程
  • 批准号：
    23H05455
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 29.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
二维锗晶体异质结构形成及电子性质控制
  • 批准号：
    22H01524
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 29.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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