Study of oxidation mechanisms in Ge and SiGe
Study of oxidation mechanisms in Ge and SiGe
Ge和SiGe的氧化机理研究
批准号：
16H02331
负责人：
Toriumi Akira
金额：
$29.29万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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SiGeの熱酸化機構
SiGe的热氧化机理
SiGe的热氧化机理
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[宋 宇振, 李 秀妍, 野間 勇助, 西村 知紀, 鳥海 明]
通讯作者：
鳥海 明
"Materials And Process Controls For Scalable and Reliable Germanium Gate Stacks"
“可扩展且可靠的锗门堆栈的材料和过程控制”
“可扩展且可靠的锗门堆栈的材料和过程控制”
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[呂 琳, 熊谷征久, 鈴木匠, 東川 甲平, 木須 隆暢, Akira. Toriumi]
通讯作者：
Akira. Toriumi
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wang Xu, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明]
通讯作者：
鳥海 明
鳥海研究室ホームページ
鸟海实验室主页
鸟海实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
アモルファスネットワーク構造の安定性から見たGeO2の脆弱性
从非晶网络结构稳定性角度探讨GeO2的脆弱性
从非晶网络结构稳定性角度探讨GeO2的脆弱性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[謝 敏, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明]
通讯作者：
鳥海 明
共 36 条
Study of carrier scattering mechanisms by Ge isotope and interface roughness in Ge thin films
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批准号：25249032
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$29.87万
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财政年份：2013
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负责人：Toriumi Akira
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依托单位：
海外基金