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Study of melt growth mechanisms of multicrystalline Si by in situ observations
原位观测研究多晶硅熔体生长机制
基本信息
- 批准号：26246016
- 负责人：
- 金额：$ 27.54万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-06-27 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Segregation of Ge in B and Ge codoped Czochralski-Si crystal growth
- DOI：10.1016/j.jallcom.2015.03.155
- 发表时间：2015-08
- 期刊：
- 影响因子：6.2
- 作者：M. Arivanandhan;Raira Gotoh;K. Fujiwara;S. Uda;Y. Hayakawa
- 通讯作者：M. Arivanandhan;Raira Gotoh;K. Fujiwara;S. Uda;Y. Hayakawa
Fabrication of periodically-twinned borate crystal for quasi-phase-matching
用于准相位匹配的周期性孪晶硼酸盐晶体的制备
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kensaku Maeda;Kozo Fujiwara;Satoshi Uda
- 通讯作者：Satoshi Uda
Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe
富硅SiGe单向生长中Ge在晶界的分布
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Morgane Mokhtari;Kozo Fujiwara;Haruhiko Koizumi;Jun Nozawa;Satoshi Uda
- 通讯作者：Satoshi Uda
In situ observation of crystal/melt interface of SiGe
SiGe晶体/熔体界面的原位观察
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Mokhtari;K. Fujiwara;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
- 通讯作者：S. Uda
Development of growth technology of mc-Si ingot suppressing impurity contamination
抑制杂质污染的多晶硅锭生长技术的开发
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kozo Fujiwara;Yukichi Horioka;Siro. Sakuragi
- 通讯作者：Siro. Sakuragi
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Fujiwara Kozo其他文献
In situ observation of solidification and subsequent evolution of Ni-Si eutectics
镍硅共晶凝固和后续演化的原位观察
- DOI：
10.1016/j.scriptamat.2022.114513 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：6
- 作者：
Chuang Lu-Chung;Maeda Kensaku;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo - 通讯作者：
Fujiwara Kozo
Influence of interfacial structure on propagating direction of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon
多晶硅定向凝固过程中界面结构对小角度晶界扩展方向的影响
- DOI：
10.1016/j.scriptamat.2019.07.018 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：6
- 作者：
Chuang Lu-Chung;Kiguchi Takanori;Kodama Yumiko;Maeda Kensaku;Shiga Keiji;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo - 通讯作者：
Fujiwara Kozo
Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon
硅的{1 1 0}和{1 1 1}晶体/熔体界面处的生长速率差异
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126784 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Mishra Shashank Shekhar;Chuang Lu-Chung;Maeda Kensaku;Nozawa Jun;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo - 通讯作者：
Fujiwara Kozo
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Study on melt growth mechanisms of multicrystalline silicon by in situ observations(Fostering Joint International Research)
通过原位观测研究多晶硅熔体生长机制（促进国际联合研究）
- 批准号：
15KK0198 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
相似海外基金
Crystalline Si/perobskite triple junction solar cells by mist deposition
通过雾沉积制备晶体硅/钙钛矿三结太阳能电池
- 批准号：
20K05318 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Solution-processed c-Si/Perovskite 2-terminal multijuntion solar cell
溶液加工的c-Si/钙钛矿二端多结太阳能电池
- 批准号：
17K06341 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
混合 CMOS，由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成
- 批准号：
16K06311 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Crystallographic relation between coordination-polyhedron structures involving dodecagonal atomic columns and approximant-phase structures related to the dodecagonal quasicrystal
涉及十二方原子柱的配位多面体结构与十二方准晶相关的近似相结构之间的晶体学关系
- 批准号：
15K06426 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of textured thin polycrystalline Si wafers with light trapping effect by use of Surface Structure Chemical Transfer method
利用表面结构化学转移法制备具有光捕获效应的织构化薄多晶硅片
- 批准号：
26870342 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 27.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)