Study of melt growth mechanisms of multicrystalline Si by in situ observations
Study of melt growth mechanisms of multicrystalline Si by in situ observations
原位观测研究多晶硅熔体生长机制
批准号：
26246016
负责人：
Fujiwara Kozo
金额：
$27.54万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-06-27 至 2017-03-31
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DOI：
10.1016/j.jallcom.2015.03.155
发表时间：
2015-08
期刊：
Journal of Alloys and Compounds
影响因子：
6.2
作者：
[M. Arivanandhan;Raira Gotoh;K. Fujiwara;S. Uda;Y. Hayakawa]
通讯作者：
M. Arivanandhan;Raira Gotoh;K. Fujiwara;S. Uda;Y. Hayakawa
Fabrication of periodically-twinned borate crystal for quasi-phase-matching
用于准相位匹配的周期性孪晶硼酸盐晶体的制备
用于准相位匹配的周期性孪晶硼酸盐晶体的制备
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda]
通讯作者：
Satoshi Uda
Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe
富硅SiGe单向生长中Ge在晶界的分布
富硅SiGe单向生长中Ge在晶界的分布
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Morgane Mokhtari, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda]
通讯作者：
Satoshi Uda
In situ observation of crystal/melt interface of SiGe
SiGe晶体/熔体界面的原位观察
SiGe晶体/熔体界面的原位观察
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda]
通讯作者：
S. Uda
Development of growth technology of mc-Si ingot suppressing impurity contamination
抑制杂质污染的多晶硅锭生长技术的开发
抑制杂质污染的多晶硅锭生长技术的开发
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kozo Fujiwara, Yukichi Horioka, Siro. Sakuragi]
通讯作者：
Siro. Sakuragi
共 16 条
Study on melt growth mechanisms of multicrystalline silicon by in situ observations(Fostering Joint International Research)
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批准号：15KK0198
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项目类别：Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
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资助金额：$9.24万
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财政年份：2016
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负责人：Fujiwara Kozo
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依托单位：
海外基金