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Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate

混合 CMOS，由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成

基本信息

批准号：
16K06311
负责人：
Hara Akito
金额：
$ 3万
依托单位：
Tohoku Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06311/
关键词：
薄膜トランジスタ多結晶シリコン多結晶ゲルマニウム４端子ハイブリッドCMOS インバータ CMOS 多結晶ゲルマニウムスズ四端子ダブルゲート poly-Si TFT poly-Ge TFT ガラスシリコンゲルマニウム 4端子ハイブリッドＣＭＯＳ

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化

提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
応用物理
影响因子：
0
作者：
三橋龍一;福本義隆;佐々木正巳;青木由直;原明人
通讯作者：
原明人

High-Kを利用した４端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用

使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sugisaki Sumio;Matsuda Tokiyoshi;Uenuma Mutsunori;Nabatame Toshihide;Nakashima Yasuhiko;Imai Takahito;Magari Yusaku;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru;Kimura Mutsumi;原明人，西口尚希
通讯作者：
原明人，西口尚希

300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT

300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
内海大樹;原明人
通讯作者：
原明人

ガラス基板上の自己整合メタルダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ

玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
渡邊一世,山下良美,遠藤聡,原紳介,笠松章史;吉田智洋,井上和孝,中田健,眞壁勇夫,磯野恭佑,岡直希,原田義彬,竹内淳,町田龍人,藤代博記;西口尚希，内海弘樹，原明人
通讯作者：
西口尚希，内海弘樹，原明人

自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討

采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
大澤弘樹;原明人（講演奨励賞受賞）
通讯作者：
原明人（講演奨励賞受賞）

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Hara Akito其他文献

Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric

具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT

DOI：
10.23919/am-fpd.2019.8830606
发表时间：
2019
期刊：
2019 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Suzuki Hitoshi;Utsumi Hiroki;Miyazaki Ryo;Kitahara Kuninori;Ryo Miyazaki and Akito Hara
通讯作者：
Ryo Miyazaki and Akito Hara

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影响因子：
0
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Evaluation of Polycrystalline-Si1-XGex Thin-Film Transistors Grown Laterally on a Glass Substrate Using a Continuous-Wave Laser

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DOI：
10.1149/10906.0059ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Sagawa Tatsuya;Kusunoki Kotaro;Kitahara Kuninori
通讯作者：
Kitahara Kuninori

Effects of germanium composition on performance of continuous-wave laser lateral crystallization n-channel polycrystalline silicon-germanium thin-film transistors on glass substrate

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DOI：
10.23919/am-fpd52126.2021.9499190
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Explore, 2021 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Kitahara Kuninori
通讯作者：
Kitahara Kuninori