Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
混合 CMOS，由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成
批准号：
16K06311
负责人：
Hara Akito
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化
提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能
提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
応用物理
影响因子：
--
作者：
[三橋龍一, 福本義隆, 佐々木正巳, 青木由直, 原明人]
通讯作者：
原明人
High-Kを利用した４端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用
使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用
使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sugisaki Sumio, Matsuda Tokiyoshi, Uenuma Mutsunori, Nabatame Toshihide, Nakashima Yasuhiko, Imai Takahito, Magari Yusaku, Koretomo Daichi, Furuta Mamoru, Kimura Mutsumi, 原明人，西口尚希]
通讯作者：
原明人，西口尚希
300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT
300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT
300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[内海大樹, 原明人]
通讯作者：
原明人
ガラス基板上の自己整合メタルダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管
玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史, 吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記, 西口尚希，内海弘樹，原明人]
通讯作者：
西口尚希，内海弘樹，原明人
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート 低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討
采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究
采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大澤弘樹, 原明人（講演奨励賞受賞）]
通讯作者：
原明人（講演奨励賞受賞）
共 63 条
Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFTs on Glass Substrate
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批准号：25420339
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2013
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负责人：Hara Akito
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依托单位：
海外基金