Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate

混合 CMOS,由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成

基本信息

  • 批准号:
    16K06311
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化
提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三橋龍一;福本義隆;佐々木正巳;青木由直;原明人
  • 通讯作者:
    原明人
High-Kを利用した4端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用
使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugisaki Sumio;Matsuda Tokiyoshi;Uenuma Mutsunori;Nabatame Toshihide;Nakashima Yasuhiko;Imai Takahito;Magari Yusaku;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru;Kimura Mutsumi;原明人,西口尚希
  • 通讯作者:
    原明人,西口尚希
300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT
300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    内海大樹;原明人
  • 通讯作者:
    原明人
ガラス基板上の自己整合メタルダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史;吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記;西口尚希,内海弘樹,原明人
  • 通讯作者:
    西口尚希,内海弘樹,原明人
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート 低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討
采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大澤弘樹;原明人(講演奨励賞受賞)
  • 通讯作者:
    原明人(講演奨励賞受賞)
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Hara Akito其他文献

Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric
具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT
Four-Terminal Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with High-k HfO2 Dielectric on Glass Substrate
玻璃基板上具有高 k HfO2 电介质的四端子多晶硅薄膜晶体管
Evaluation of Polycrystalline-Si<sub>1-X</sub>Ge<sub>x</sub> Thin-Film Transistors Grown Laterally on a Glass Substrate Using a Continuous-Wave Laser
使用连续波激光在玻璃基板上横向生长的多晶硅<sub>1-X</sub>Ge<sub>x</sub>薄膜晶体管的评估
  • DOI:
    10.1149/10906.0059ecst
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hara Akito;Sagawa Tatsuya;Kusunoki Kotaro;Kitahara Kuninori
  • 通讯作者:
    Kitahara Kuninori
Effects of germanium composition on performance of continuous-wave laser lateral crystallization n-channel polycrystalline silicon-germanium thin-film transistors on glass substrate
锗成分对玻璃基板连续波激光横向晶化n沟道多晶硅锗薄膜晶体管性能的影响
Raman scattering spectroscopy for solid-phase and metal-induced crystallization of extremely thin germanium films on glass
用于玻璃上极薄锗薄膜固相和金属诱导结晶的拉曼散射光谱
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abe2b7
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kitahara Kuninori;Tsukada Shinya;Kanagawa Akari;Hara Akito
  • 通讯作者:
    Hara Akito

Hara Akito的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Hara Akito', 18)}}的其他基金

Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFTs on Glass Substrate
玻璃基板上的自对准四端子低温多晶硅 TFT
  • 批准号:
    25420339
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
  • 批准号:
    24K07603
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ファセットデンドライト成長を利用した高品質薄板多結晶シリコンの成長技術の開発
开发利用多面枝晶生长的高质量薄多晶硅生长技术
  • 批准号:
    21686001
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
薄膜フォトトランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタによる人工網膜
使用薄膜光电晶体管和多晶硅薄膜晶体管的人工视网膜
  • 批准号:
    20656059
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
塩素化合物を経由しない新たな太陽電池用多結晶シリコン製造プロセスの開発
开发不涉及氯化合物的太阳能电池用多晶硅新制造工艺
  • 批准号:
    19656212
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
方位・粒界・粒サイズを制御した太陽電池用バルク多結晶シリコンの成長技術の確立
建立具有受控取向、晶界和晶粒尺寸的太阳能电池块状多晶硅生长技术
  • 批准号:
    18686060
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
太陽電池用高品質バルク多結晶シリコンの開発
太阳能电池用高品质块状多晶硅的开发
  • 批准号:
    06J05177
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
CVD法による多結晶シリコン膜合成時における膜構造の制御
CVD法合成多晶硅薄膜时薄膜结构的控制
  • 批准号:
    03J11221
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多結晶シリコンの組織形成機構の解明および太陽電池用完全配向型多結晶シリコンの作製
多晶硅结构形成机理的阐明及太阳能电池用全取向多晶硅的生产
  • 批准号:
    16686001
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
多結晶シリコン細線製造における溶融紡糸法の適用
熔融纺丝法在多晶硅细线生产中的应用
  • 批准号:
    14919083
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
太陽電池用高品質多結晶シリコンの新規製造プロセス
太阳能电池用高品质多晶硅新制造工艺
  • 批准号:
    00J09254
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了