Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate

混合 CMOS,由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成

基本信息

  • 批准号:
    16K06311
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化
提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三橋龍一;福本義隆;佐々木正巳;青木由直;原明人
  • 通讯作者:
    原明人
High-Kを利用した4端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用
使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugisaki Sumio;Matsuda Tokiyoshi;Uenuma Mutsunori;Nabatame Toshihide;Nakashima Yasuhiko;Imai Takahito;Magari Yusaku;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru;Kimura Mutsumi;原明人,西口尚希
  • 通讯作者:
    原明人,西口尚希
300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT
300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    内海大樹;原明人
  • 通讯作者:
    原明人
ガラス基板上の自己整合メタルダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史;吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記;西口尚希,内海弘樹,原明人
  • 通讯作者:
    西口尚希,内海弘樹,原明人
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート 低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討
采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大澤弘樹;原明人(講演奨励賞受賞)
  • 通讯作者:
    原明人(講演奨励賞受賞)
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hara Akito;Sagawa Tatsuya;Kusunoki Kotaro;Kitahara Kuninori
  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kitahara Kuninori;Tsukada Shinya;Kanagawa Akari;Hara Akito
  • 通讯作者:
    Hara Akito

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    $ 3万
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  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
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