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In-situ observation of threading dislocation conversion in high-quality SiC growth

高质量 SiC 生长中螺纹位错转换的原位观察

基本信息

批准号：
26246019
负责人：
Ujihara Toru
金额：
$ 27.62万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26246019/
关键词：
結晶成長結晶欠陥

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy

液相外延生长高质量SiC宏观台阶结构的控制

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Ujihara;C. Zhu;K. Murayama;S. Harada;M.Tagawa
通讯作者：
M.Tagawa

High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method

溶液生长法生长高品质SiC单晶

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Araki;P. Wang;D. Tanaka;S. Ryuzaki;K. Okamoto;K. Tamada;小玉重夫;T. Ujihara
通讯作者：
T. Ujihara

Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis

通过透射电子显微镜和 X 射线形貌分析表征 4H-SiC 溶液生长过程中形成的 V 形缺陷

DOI：
10.1021/acs.cgd.6b00711
发表时间：
2016
期刊：
Cryst. Growth Des
影响因子：
0
作者：
S. Xiao;S. Harada;K. Murayama;T. Ujihara
通讯作者：
T. Ujihara

The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth

通过控制溶液生长过程中宏观台阶的形成实现高质量4H-SiC C面生长晶体

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Y. Xiao;S. Harada;P. L. Chen;K. Murayama;T.Ujihara
通讯作者：
T.Ujihara

Conversion Behavior of Threading Screw Dislocations on C Face with Different Surface Morphology During 4H-SiC Solution Growth

DOI：
10.1021/acs.cgd.6b01107
发表时间：
2016-11-01
期刊：
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
影响因子：
3.8
作者：
Xiao, Shiyu;Harada, Shunta;Ujihara, Toru
通讯作者：
Ujihara, Toru

DOI：
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作者：
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0
作者：
Kuwahara Makoto;Yoshida Yuya;Nagata Wataru;Nakakura Kojiro;Furui Masato;Ishida Takafumi;Saitoh Koh;Ujihara Toru;Tanaka Nobuo;石田浩
通讯作者：
石田浩

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通过用户界面增强人类能力

DOI：
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2022
期刊：
影响因子：
0
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Osada Keiichi;Kutsukake Kentaro;Yamamoto Jun;Yamashita Shigeo;Kodera Takashi;Nagai Yuta;Horikawa Tomoyuki;Matsui Kota;Takeuchi Ichiro;Ujihara Toru;謝浩然
通讯作者：
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DOI：
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2019
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影响因子：
0
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由机器学习算法指导的晶体生长系统的几何设计

DOI：
10.1039/d1ce00106j
发表时间：
2021
期刊：
CrystEngComm
影响因子：
3.1
作者：
Yu Wancheng;Zhu Can;Tsunooka Yosuke;Huang Wei;Dang Yifan;Kutsukake Kentaro;Harada Shunta;Tagawa Miho;Ujihara Toru
通讯作者：
Ujihara Toru