Fabrication of NeoSilicon quantum information processing devices based on position control of silicon nano-dots and nanowires

基于硅纳米点和纳米线位置控制的NeoSilicon量子信息处理器件的制备

基本信息

  • 批准号：
    26249048
  • 负责人：
    Oda Shunri
  • 金额：
    $ 26.79万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-06-27 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（57）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
CEA/LETI/パリ大学(フランス)
CEA/LETI/巴黎大学（法国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Silicon quantum dots for future electronics and photonics
用于未来电子学和光子学的硅量子点
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Weike Feng;Jean-Michel Friedt;Grigory Cherniak;and Motoyuki Sato;Shunri Oda
  • 通讯作者：
    Shunri Oda
スピン量子デバイスに向けた少数電子シリコン量子ドットの研究
自旋量子器件用少电子硅量子点研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    堀部 浩介;小寺 哲夫;小田 俊理
  • 通讯作者：
    小田 俊理
シリコン量子ドットにおける表面酸化膜中電荷のコヒーレンス効果
硅量子点表面氧化膜电荷的相干效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    前川 未知瑠;テノリオぺルル ハイメ;ヘルブスレブ エルンスト;山岡 裕;小寺 哲夫;小田 俊理
  • 通讯作者：
    小田 俊理
Back-action-induced excitation of electrons in a silicon quantum dot with a single-electron transistor charge sensor
  • DOI：
    10.1063/1.4907894
  • 发表时间：
    2015-02-02
  • 期刊：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Horibe, Kosuke;Kodera, Tetsuo;Oda, Shunri
  • 通讯作者：
    Oda, Shunri
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Yamaoka Yu;Iwasaki Kazuma;Oda Shunri;Kodera Tetsuo
  • 通讯作者：
    Kodera Tetsuo
ホール輸送によるp型量子ドットの作製と特性評価
空穴传输p型量子点的制备和表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kambara Tomohiro;Kodera Tetsuo;Oda Shunri;山田宏,小寺哲夫,蒲原知宏,河野行雄,小田俊理
  • 通讯作者：
    山田宏,小寺哲夫,蒲原知宏,河野行雄,小田俊理
Dual Function of Charge Sensor: Charge Sensing and Gating
电荷传感器的双重功能：电荷感应和选通
  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
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  • 通讯作者：
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作者：{{ showInfoDetail.author }}

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