Fabrication of NeoSilicon quantum information processing devices based on position control of silicon nano-dots and nanowires
Fabrication of NeoSilicon quantum information processing devices based on position control of silicon nano-dots and nanowires
基于硅纳米点和纳米线位置控制的NeoSilicon量子信息处理器件的制备
批准号：
26249048
负责人：
Oda Shunri
金额：
$26.79万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-06-27 至 2017-03-31
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CEA/LETI/パリ大学(フランス)
CEA/LETI/巴黎大学（法国）
CEA/LETI/巴黎大学（法国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Silicon quantum dots for future electronics and photonics
用于未来电子学和光子学的硅量子点
用于未来电子学和光子学的硅量子点
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Weike Feng, Jean-Michel Friedt, Grigory Cherniak, and Motoyuki Sato, Shunri Oda]
通讯作者：
Shunri Oda
スピン量子デバイスに向けた少数電子シリコン量子ドットの研究
自旋量子器件用少电子硅量子点研究
自旋量子器件用少电子硅量子点研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[堀部 浩介, 小寺 哲夫, 小田 俊理]
通讯作者：
小田 俊理
シリコン量子ドットにおける表面酸化膜中電荷のコヒーレンス効果
硅量子点表面氧化膜电荷的相干效应
硅量子点表面氧化膜电荷的相干效应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前川 未知瑠, テノリオぺルル ハイメ, ヘルブスレブ エルンスト, 山岡 裕, 小寺 哲夫, 小田 俊理]
通讯作者：
小田 俊理
DOI：
10.1063/1.4907894
发表时间：
2015-02-02
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Horibe, Kosuke, Kodera, Tetsuo, Oda, Shunri]
通讯作者：
Oda, Shunri
共 48 条
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