Nano-gate probing of anyon particle

量子ポイントコンタクト中にセンターゲートを取り付け量子ポイントコンタクト内の電子密度を精密に制御することで、強磁場、極低温下の分数量子ホール状態において、半整数量子化伝導の測定を行った。その結果、量子ポイントコンタクト外のランダウ準位充填率nu=2/3において観測されるnu=1/2の量子化伝導が、緩やかなエッジポテンシャルを並走するnu=1/3モードが量子ポイントコンタクト内で平衡化することで生じていると結論付けることができた。さらに、抵抗検出磁気共鳴測定により、量子ポイントコンタクト内の電子スピンが偏極していることを明らかにし、上述の我々の提唱するモデルに矛盾しないことが分かった。これらの成果は、センターゲートを、本課題で使用しているナノプローブゲートに置き換えて量子干渉状態を形成する際に必要となる、量子ポイントコンタクト中のエッジチャンネル状態の知見を提供するものである。また、走査トンネル顕微鏡探針から高周波電界を照射することで、直径３ナノメートルの単一分子の電子スピン共鳴に成功し、Nano Letters誌で発表を行った。この技術要素は、本課題を遂行するにあたり使用している走査プローブ抵抗検出核磁気共鳴測定に加え、走査プローブ抵抗検出電子スピン共鳴測定に応用することが可能である。さらに、走査プローブ顕微鏡抵抗検出核磁気共鳴に関するこれまでの結果をまとめ、シュプリンガー・ネイチャーの本「Quantum hybrid electronics and materials」の中で「Microscopic Properties of Quantum Hall Effects」と題して発表した。

量子ポイントコンタクト中にセンターゲートを取り付け量子ポイントコンタクト内の電子密度を精密に制御することで、強磁場、極低温下の分数量子ホール状態において、半整数量子化伝導の測定を行った。その結果、量子ポイントコンタクト外のランダウ準位充填率nu=2/3において観測されるnu=1/2の量子化伝導が、緩やかなエッジポテンシャルを並走するnu=1/3モードが量子ポイントコンタクト内で平衡化することで生じていると結論付けることができた。さらに、抵抗検出磁気共鳴測定により、量子ポイントコンタクト内の電子スピンが偏極していることを明らかにし、上述の我々の提唱するモデルに矛盾しないことが分かった。これらの成果は、センターゲートを、本課題で使用しているナノプローブゲートに置き換えて量子干渉状態を形成する際に必要となる、量子ポイントコンタクト中のエッジチャンネル状態の知見を提供するものである。また、走査トンネル顕微鏡探針から高周波電界を照射することで、直径３ナノメートルの単一分子の電子スピン共鳴に成功し、Nano Letters誌で発表を行った。この技術要素は、本課題を遂行するにあたり使用している走査プローブ抵抗検出核磁気共鳴測定に加え、走査プローブ抵抗検出電子スピン共鳴測定に応用することが可能である。さらに、走査プローブ顕微鏡抵抗検出核磁気共鳴に関するこれまでの結果をまとめ、シュプリンガー・ネイチャーの本「Quantum hybrid electronics and materials」の中で「Microscopic Properties of Quantum Hall Effects」と題して発表した。