カーボンナノチューブの分子レベルでの欠陥ドープ構造制御と近赤外発光特性の開拓

分子水平上碳纳米管缺陷掺杂结构的控制及近红外发射性能的发展

基本信息

  • 批准号:
    22H01910
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

白木 智丈其他文献

脂肪酸修飾単層カーボンナノチューブ表面への血清アルブミン吸着挙動の観察
脂肪酸修饰单壁碳纳米管表面吸附血清白蛋白行为的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村 賢拓;新留 嘉彬;永井 薫子;田中 直樹;白木 智丈;森 健;片山 佳樹;藤ヶ谷 剛彦,
  • 通讯作者:
    藤ヶ谷 剛彦,
Effect of sp3 defect on the electronic states of single-walled carbon nanotubes determined by in situ PL spectrochemistry
原位PL光谱化学测定sp3缺陷对单壁碳纳米管电子态的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白石 智也;白木 智丈;中嶋 直敏
  • 通讯作者:
    中嶋 直敏
分子が規則配列した有機構造体の炭化による窒素ドープカーボンの調製
规则排列分子有机结构碳化制备氮掺杂碳
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白木 智丈;キム ガヨン;中嶋 直敏
  • 通讯作者:
    中嶋 直敏
単層カーボンナノチューブ上での化学反応を波長変調因子とした近赤外フォトルミネッセンス材料
利用单壁碳纳米管化学反应作为波长调制因子的近红外光致发光材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白木 智丈;志賀 為仁;中嶋 直敏;藤ヶ谷 剛彦
  • 通讯作者:
    藤ヶ谷 剛彦
局所化学修飾サイトでの化学反応を利用した単層カーボンナノチューブの近赤外発光変調
利用局部化学修饰位点的化学反应对单壁碳纳米管进行近红外发射调制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白木 智丈;志賀 為仁;中嶋 直敏;藤ヶ谷 剛彦
  • 通讯作者:
    藤ヶ谷 剛彦

白木 智丈的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('白木 智丈', 18)}}的其他基金

カーボンナノチューブの分子レベルでの欠陥ドープ構造制御と近赤外発光特性の開拓
分子水平上碳纳米管缺陷掺杂结构的控制及近红外发射性能的发展
  • 批准号:
    23K23178
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
力学応答性高分子複合体の動的らせん形成を利用する生体内応力の検出
利用机械响应聚合物复合物的动态螺旋形成检测体内应力
  • 批准号:
    23750139
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号:
    24K08270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
CO2吸着誘起蛍光により解明するリチウムケイ酸塩のCO2吸収能と表面欠陥の関係性
CO2吸附诱导荧光揭示硅酸锂CO2吸收能力与表面缺陷的关系
  • 批准号:
    24K17497
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ウルツ鉱型強誘電体における分極反転ドメイン境界の解明と欠陥エンジニアリング
纤锌矿型铁电体中极化反转域边界和缺陷工程的阐明
  • 批准号:
    24K01170
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
熱平衡点欠陥濃度の理論評価手法の開発
热平衡点缺陷浓度理论评估方法的发展
  • 批准号:
    24K01173
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
双結晶と先端サブナノ計測技法を高度に連携させた電界誘起点欠陥の同定とその精密計測
通过高度连接的双晶和先进的亚纳米测量技术识别电场引起的点缺陷及其精确测量
  • 批准号:
    24K01156
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
反応駆動力を制御した2段階構造修復による低欠陥カーボンナノチューブ形成
受控反应驱动力两步结构修复形成低缺陷碳纳米管
  • 批准号:
    24K01297
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
3次元トポロジカル欠陥が織りなすpassive/active液晶の時空間ダイナミクス:開拓と制御
3D拓扑缺陷编织的被动/主动液晶的时空动力学:开发和控制
  • 批准号:
    24K00593
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
量子相転移動力学の基盤となるスピノールBEC中の位相欠陥の内部状態と動力学の解明
阐明旋量 BEC 中相缺陷的内部状态和动力学,这是量子相转移动力学的基础
  • 批准号:
    23K20228
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
  • 批准号:
    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高信頼LSI創出のための欠陥考慮型耐ソフトエラー技術に関する研究
研究用于创建高可靠LSI的缺陷感知软错误抵抗技术
  • 批准号:
    23K21653
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了