刷新
{{item.name}}会员
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
基本信息
- 批准号：23H01872
- 负责人：
- 金额：$ 12.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
姚 永昭其他文献
ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析
宽带隙半导体晶体的位错检测与分析
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;姚 永昭;菅原 義弘;佐藤 功二;横江 大作 - 通讯作者：
横江 大作
GaN自立基板上pnダイオードの逆方向リーク電流と貫通螺旋転位周りに存在するMgとの関係
GaN自支撑衬底上pn二极管的反向漏电流与螺旋位错周围存在的Mg的关系
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
宇佐美 茂佳;田中 敦之;間山 憲仁;戸田 一也;菅原 義弘;姚 永昭;石川 由加里;安藤 悠人;出来 真斗;新田 州吾;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
理想配列ポーラスアルミナメンブレンの作製と光学特性評価
理想阵列多孔氧化铝膜的制备及光学性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行;伊髙 健治;伊藤榛華，柳下 崇 - 通讯作者：
伊藤榛華，柳下 崇
HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川 由加里;菅原 義弘;横江 大作;姚 永昭 - 通讯作者：
姚 永昭
積雪した太陽電池モジュールにおける熱収支とアルベドの影響
热平衡和反照率对积雪太阳能电池组件的影响
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行;伊髙 健治 - 通讯作者：
伊髙 健治
姚 永昭的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('姚 永昭', 18)}}的其他基金
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号：
23K26565 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
宽禁带半导体功率器件实际运行过程中位错动态行为的观察
- 批准号：
23K17356 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
相似国自然基金
镍基UNS N10003合金辐照位错环演化机制及其对力学性能的影响研究
- 批准号：12375280
- 批准年份：2023
- 资助金额：53.00 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
Characterization of the interaction mechanism between carbon cluster and dislocation in steel
钢中碳簇与位错相互作用机制的表征
- 批准号：
22KJ2381 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Analytical study of yield point phenomena and work-hardening by dislocation accumulation modelbased on the multi-surface plasticity theory
基于多面塑性理论的位错累积模型对屈服点现象和加工硬化的分析研究
- 批准号：
23K03592 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of plastic theory based on statistical mechanics to realize effect of dislocation behavior
发展基于统计力学的塑性理论以实现位错行为的效果
- 批准号：
23K18458 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Elucidation of plasticity and brittleness of protein crystals based on dislocation theory
基于位错理论阐明蛋白质晶体的塑性和脆性
- 批准号：
23H01305 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on the origin of "grains" with different dislocation distributions in lattice-mismatched epitaxial films
晶格失配外延膜中不同位错分布“晶粒”的起源研究
- 批准号：
23K04603 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Backcasting Materials Design through Uncovering Mechanisms of Electronic and Thermal Conduction by Control Dislocation and Grain boundaries
通过控制位错和晶界揭示电子和热传导机制来进行背铸材料设计
- 批准号：
23H01671 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Quantification of damage evolution involved with the interaction of hydrogen, dislocation, and vacancy-type defect in metals ~ For predicting life degradation caused by hydrogen embrittlement ~
量化金属中氢、位错和空位型缺陷相互作用所涉及的损伤演化 ~ 用于预测氢脆引起的寿命退化 ~
- 批准号：
23KJ1934 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Enhancement of strength-ductility trade-off by microstructure control of C-doped FeNiCoCr HEA.
通过 C 掺杂 FeNiCoCr HEA 的微观结构控制增强强度-延展性权衡。
- 批准号：
22K20478 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Pathogenicity of the emerging pathogen Kingella kingae
新出现的病原体金氏菌的致病性
- 批准号：
10559927 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Intraoperative Nerve Damage Assessment Using Nerve-Specific Fluorescence Guided Surgery
使用神经特异性荧光引导手术进行术中神经损伤评估
- 批准号：
10482087 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：