课题基金 / 基金详情

実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察

実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
宽禁带半导体功率器件实际运行过程中位错动态行为的观察
批准号：
23K17356
负责人：
姚 永昭
金额：
$16.56万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-06-30 至 2027-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K17356/
关键词：
Ga2O3SiC転位オペランド観測X線トポグラフィー

项目摘要

项目成果

姚 永昭的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
  • 批准号：
    23K26565
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.24万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    姚 永昭
  • 依托单位：
    Japan Fine Ceramics Center
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
  • 批准号：
    23H01872
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.23万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    姚 永昭
  • 依托单位：
    Japan Fine Ceramics Center
国内基金
海外基金
高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
  • 批准号：
    2026JJ80072
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    曾荣周
  • 依托单位：
    湖南工业大学
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号：
    2026JJ60454
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    桂庆忠
  • 依托单位：
    湖南大学
多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    黄兴才
  • 依托单位：
    盐城师范学院