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実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
宽禁带半导体功率器件实际运行过程中位错动态行为的观察
基本信息
- 批准号：23K17356
- 负责人：
- 金额：$ 16.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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姚 永昭其他文献
ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析
宽带隙半导体晶体的位错检测与分析
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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横江 大作
GaN自立基板上pnダイオードの逆方向リーク電流と貫通螺旋転位周りに存在するMgとの関係
GaN自支撑衬底上pn二极管的反向漏电流与螺旋位错周围存在的Mg的关系
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
宇佐美 茂佳;田中 敦之;間山 憲仁;戸田 一也;菅原 義弘;姚 永昭;石川 由加里;安藤 悠人;出来 真斗;新田 州吾;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
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- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行;伊髙 健治;伊藤榛華，柳下 崇 - 通讯作者：
伊藤榛華，柳下 崇
HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川 由加里;菅原 義弘;横江 大作;姚 永昭 - 通讯作者：
姚 永昭
（0001）GaNウエハ上のsクラッチ幅と転位パタンサイズの線形増加
(0001) GaN 晶圆上离合宽度和位错图案尺寸线性增加
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行 - 通讯作者：
只友一行
姚 永昭的其他文献
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{{ truncateString('姚 永昭', 18)}}的其他基金
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号：
23K26565 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号：
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$ 16.56万 - 项目类别：
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相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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核壳结构高熵MAX/SiC螺旋纳米纤维设计及多机制协同吸波机理
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多能场辅助SiCf/SiC复合材料精密加工机理及调控方法研究
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- 批准号：2025JJ80372
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相似海外基金
SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学，以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
- 批准号：
23K22796 - 财政年份：2024
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界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号：
24KJ1553 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発
开发兼具耐热性和低加工温度的SiC陶瓷TLP接合技术
- 批准号：
24K08069 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
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SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
- 批准号：
24H00308 - 财政年份：2024
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$ 16.56万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
- 批准号：
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SiCインバータサージ絶縁の高度化：高繰り返しナノ秒パルス電圧下の部分放電の解明
SiC逆变器浪涌绝缘的进步：阐明高重复纳秒脉冲电压下的局部放电
- 批准号：
24K00874 - 财政年份：2024
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CVD-SiC材料高效超精密加工研究及加工现象阐明
- 批准号：
24K07262 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
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SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究
- 批准号：
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- 资助金额：
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SiC功率MOSFET高速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号：
23K26094 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
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SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
基于原子论和量子论阐明SiC MOS反型层电子传输机制
- 批准号：
24K17310 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists