化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の性御

化合物半导体薄膜晶体异质生长中结晶度的控制

• 批准号: 04204010
• 负责人: 福家 俊郎
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04204010/
• 关键词: 化合物半導体; ヘテロ成長; 混晶; 減圧成長; バッファ層

II-VI族化合物半導体のヘテロ成長において、(1)開管減圧水素輸送法によるGaAs基板上ZnSeヘテロエピ成長において、ZnSe/GaAsヘテロエピ界面にZnSe/ZnS_xSe_1 _x(x=0.16)歪み多層膜(各層の厚さ約1500Å)を挿入した結果、ZnSe成長層のX線回折ピークの半値幅が減少すると共に、表面モフォロジーが改善された。また、歪み多層膜上のZnSe成長層の成長速度は約1/2程度に低下した。これは格子歪み緩和時の不整合転位発生に伴って形成される成長層表面のすじ状の凹凸に起因するものと考えられる。(2)ジメチル亜鉛及び硫化水素をもちいたMOCVD法により、GaP基板上にZnSを成長させた。VI-II比を小さくするほど(111)A面上の成長速度が小さく、H_2の熱分解プロセスが(111)A及びB面の成長を律速し、成長速度差の原因となっていることが示唆された。MOCVD法によるIII-V族化合物半導体成長において(1)格子ミスマッチの大きいGaAs基板上InAs成長において、380℃での低温成長層を初期バックファ層として挿入することにより、X線ロッキングカーブの半値幅が大幅に低下し、また、GaとInの相互拡散(特に基板から成長層へのGaの拡散)が減少した。(2)InGaAs、InGaPの成長において、トリメチルInはトリメチルGaより分解速度が大きく、横型成長炉で組成を制御するためにはキャリアガス流速を上げることが必須である。また、フォスフィンよりアルシンと反応しやすく、その結果両者で成長層へのInの取込み率に差が見られる。などの結果を得た。

II - VI compound semiconductor の ヘ テ ロ growth に お い て, (1) open tube 圧 reduction water conveying method に よ る GaAs substrate ZnSe ヘ テ ロ エ ピ growth に お い て, ZnSe/GaAs ヘ テ ロ エ ピ interface に ZnSe/ZnS_xSe_1 _x (x = 0.16) slanting み multilayer membrane (each layer thick の さ about 1500 a) を scions into し た results, ZnSe growth layer の X-ray inflexion ピ ー ク の half numerical picture が reduce す る と に, surface モ フ ォ ロ ジ ー が improve さ れ た. The growth rate of the <s:1> ZnSe growth layer <s:1> on the また and み multilayer films is approximately half, which is に low and た. Easing こ れ は grid slanting み の unconformity planning a born 発 に with っ て form さ れ る growth layer surface の す じ shape の is concave and convex に cause す る も の と exam え ら れ る. (2) ジ メ チ ル 亜 lead and び sulfide water element を も ち い た MOCVD method に よ り, GaP substrate に grow ZnS を administered さ せ た. VI - II is smaller than を さ く す る ほ ど (111) on A の が growing small さ く, H_2 の pyrolysis プ ロ セ ス が (111) A and B び surface の growth speed し を law, poor growth の reason と な っ て い る こ と が in stopping さ れ た. MOCVD method に よ る III - V compound semiconductor growth に お い て (1) grid ミ ス マ ッ チ の big き い GaAs substrate InAs growth に お い て, 380 ℃ で の を growth at low temperature in the early バ ッ ク フ ァ layer と し て scions into す る こ と に よ り, X-ray ロ ッ キ ン グ カ ー ブ の half numerical low amplitude が に substantially し, ま た, Ga と In <s:1> mutual 拡 dispersion (special に substrate ら ら long layer へ <s:1> Ga 拡 dispersion)が reduces た た. (2) the InGaAs, InGaP の growth に お い て, ト リ メ チ ル In は ト リ メ チ ル Ga よ り decomposition speed が big き く, horizontal type growth furnace of で す を system initiates a る た め に は キ ャ リ ア ガ を ス velocity on げ る こ と が must で あ る. ま た, フ ォ ス フ ィ ン よ り ア ル シ ン と anti 応 し や す く, そ の results that struck で growth layer へ の In の take 込 み rate に poor が see ら れ る. Youdaoplaceholder0 を the result を is た.

项目成果

Shunro Fuke: "Lowering of the growth temperature by the iodine incorporation for Vapor-phase epitaxy of ZnS" Journal of Applied Physics. 71. 3611-3613 (1992)

Shunro Fuke：“通过掺碘来降低 ZnS 气相外延的生长温度”应用物理学杂志。

塚原 良洋: "GaP基板上GaAs成長におけるバッファ層を用いた不整合転位の低減" 電子情報通信学会技術研究報告(ED92-36). 92. 67-71 (1992)

Yoshihiro Tsukahara：“在 GaP 衬底上的 GaAs 生长中使用缓冲层减少失配位错”IEICE 技术报告 (ED92-36) (1992)。

Masashi Umemura: "Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 72. 313-315 (1992)

Masashi Umemura：“通过有机金属气相外延在 GaAs(111)A 衬底平面上生长的 AlGaAs 层的形态”应用物理学杂志。