原子レベルでの結晶成長機構(総括班)

原子水平的晶体生长机制(监督组)

基本信息

  • 批准号:
    04227103
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 7.87万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1994
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1994 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は、平成3年度から5年度にわたって行われた本重点領域研究のとりまとめを行った。とりまとめに際し、次の主要項目ごとに成果を整理した。(1)結晶成長理論、(2)核形成と成長のカイネティクス、(3)成長表面と界面構造、(4)エピタキシ-機構、(5)環境相と成長機構。 この各研究項目ごとにさらに各研究者の分担を定めその成果をまとめた。結晶成長理論に関しては多成分系核形成理論、結晶の異方性をとり入れた形態形成理論の確立、計算機シミュレーションによる分子線エピタキシ素過程の解明が主な成果である。核形成と成長のカイネティクスに関しては、原子の表面拡散と成長ステップにおける原子のとり込みに関し多くの知見が得られた。成長面と界面構造に関してはX線散乱を用いたSiとSiO_2界面の原子構造の解明に加え電子線はじめ各種の手段を用いて原子スケールでの界面・表面構造を明かにした。エピタキシに関しては特に格子定数差の大きいヘテロエピタキシ機構の解明にとり組み、不整転位の導入機構、バッファ層の役割等従来不明であった重要な問題をいくつか明かにした。環境相と成長機構に関しては特に溶液成長を取り上げ、包晶反応をともなう結晶成長の機構、成長にむけての溶液の構造変化、溶質の脱溶媒過程等従来複雑さのため未開拓であった分野に科学的なメスを入れ部分的ながらその機構を明かにした。以上の成果は日本結晶成長学会誌第21巻5号別冊としてまとめられている他、「大学と科学」シンポジウムでも公開され1041名という多数の参加者に報告された。
This year, the research in this key field will be conducted in the third year and the fifth year. The main project is to organize the results. (1)crystal growth theory,(2) nucleus formation and growth mechanism,(3) growth surface structure,(4) growth mechanism,(5) environmental phase and growth mechanism. The results of each research project are shared by the researchers. The theory of crystal growth is related to the theory of nucleus formation of multicomponent system, the establishment of morphology formation theory of crystal anisotropy, the solution of molecular line and element process in computer system. Nuclear formation and growth are related to the surface dispersion and growth of atoms. The interface structure of the growth plane is related to the X-ray scattering, the atomic structure of the Si/SiO_2 interface is explained by the electron ray, and the interface structure is explained by various means. The key to the problem is to solve the problem of the number difference between the grid and the structure, and to solve the problem of the structure and the structure. Environmental phase and growth mechanism are related to solution growth, crystal growth mechanism, growth mechanism, solution structure transformation, solute desolventization process, etc. The above results were reported by 1041 participants in the Journal of the Japan Institute of Crystallization and Growth, No. 21, Section 5,"University Science"

项目成果

期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Koide,K.Itoh,S.Zaima and Y.Yasuda: "Im-Situ RHEED Study on the effect of light irradiation on Ge/Si heteroepitaxial growth by GeH_4 Source molecular beam epitaxy" J.Crystal Growth. 120. 284-289 (1992)
Y.Koide、K.Itoh、S.Zaima 和 Y.Yasuda:“GeH_4 源分子束外延光照射对 Ge/Si 异质外延生长影响的 Im-Situ RHEED 研究”J.Crystal Growth。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
西永 頌(編集): "平成4年度文部省科学研究費補助金重点領域研究「原子レベルでの結晶成長機構」第3回研究会予稿集" 本重点領域研究事務局, 322 (1992)
西永翔(主编):《1992年文部科学省科学研究补助金第3次“原子水平的晶体生长机制”研究会论文集》优先地区研究秘书处,322(1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
西永 頌(編集): "同上第4回研究会報告論文集(Proceedings of the Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mecranism,英分論文集)" 本重点領域研究事務局, 455 (1993)
西永翔(编辑):《第六届晶体生长机制专题会议论文集》,优先领域研究秘书处,455(1993)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Takie,M.Koike,K.Imai,H.Sawa and Y.Iye: "Growth and properties of Lideficieut Single crystals LiVO_2." Materials Res.Bull.27. 555-562 (1992)
H.Takie、M.Koike、K.Imai、H.Sawa 和 Y.Iye:“Lideficieut 单晶 LiVO_2 的生长和性能。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Tanaka,N.Ikayashi,H.Sakakibara,K.Ishida and T.Nishinaga: "Atomic Scale morphology and interface of epitaxially embedded metal (CoAe)/Semiconductor (GaAs/AeAs) heterostructures" Appl.Phys.Lett.60. 835-837 (1992)
M.Tanaka、N.Ikayashi、H.Sakakibara、K.Ishida 和 T.Nishinaga:“外延嵌入金属 (CoAe)/半导体 (GaAs/AeAs) 异质结构的原子尺度形态和界面”Appl.Phys.Lett.60。
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  • 发表时间:
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低角入射分子線エピタキシ法による絶縁膜上への半導体単結晶薄膜の横方向成長
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  • 资助金额:
    $ 7.87万
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  • 批准号:
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  • 资助金额:
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  • 批准号:
    02352027
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 7.87万
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  • 批准号:
    02205019
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 7.87万
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  • 批准号:
    61114002
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
混晶の成長機構と相安定に関する研究
混晶生长机理及相稳定性研究
  • 批准号:
    62104002
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
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  • 批准号:
    60222007
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
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  • 批准号:
    59580037
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

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相似海外基金

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    2024
  • 资助金额:
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  • 资助金额:
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    2023
  • 资助金额:
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    2023
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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  • 批准号:
    22KJ2359
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
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  • 批准号:
    23K08869
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
核形成反応に着目したアミロイド線維形成と関連生体因子の研究
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  • 批准号:
    22K14013
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 7.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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