核形成と成長のカイネティクス
成核和生长动力学
基本信息
- 批准号:03243102
- 负责人:
- 金额:$ 36.74万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1991
- 资助国家:日本
- 起止时间:1991 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
核形成の研究に関しては分子線エピタキシ法,高真空走査型電顕内での成長,ガス蒸発法による三次元核形成および電流制御法による核形成の研究を行なった。特異面からわずかに傾いた基板を用いると成長ステップが多数現われ,ここにMBE成長させると条件によりステップ間に二次元核が現れる。この核形成の有無はRHEEDによってモニタ-できるので、これを利用し、GaAs基板上でのGaAsおよびAlAsの二次元核形成につき調べ、この結果を用いてGaAs上のGaおよびAlの表面拡散距離を求めた。又、マイカの上にZnの核形成が起る様子や,GaAs基板の上にGa液滴が形成される様子を直接観察することができた。又,ガス蒸発法により化合物結晶の微粒子を形成し,雰囲気ガスと生成核の組成および構造の関係を調べた。成長カイネティクスに関しては,先ずMBE成長におけるステップ端で平衡がどの程度成立しているかを調べた。特にGaAsのMBE成長においてGa原子の蒸発速度がステップ間隔にどのように依存するかを調べることにより,ステップ端での過飽和度が20%以下であることを明らかにした。従来,MBE成長は非平衡状態で行なわれていると信じられていたが,本研究により平衡に極めて近いことが示された意義は大きい。結晶表面の原子スケ-ルでの荒れは成長カイネティクスに大きな影響を与える。そこで氷結晶をモデルとして結晶の荒れと成長の振舞の関係を調べた。先ず結晶の核を気担で形成する。これを,過冷却の程度を色々変えた水に落し成長形態の観察を行なった。その結果,過冷却が低い時は平坦な面が,大きい時は荒れた面が現れ,Jacksonの理論と良い一致を示すことがわかった。
The research on nuclear formation is related to the molecular wire method, the growth in high vacuum walk-type electric furnace, the evaporation method, the three-dimensional nuclear formation and the current control method. The most important thing is that the growth of the substrate is based on the quadratic core. The existence and non-existence of this nucleus formation, the utilization of this, GaAs and AlAs on GaAs substrate, the formation of secondary nuclei, the results of this use, GaAs and Al on the surface dispersion distance. In addition, the formation of Zn nuclei on GaAs substrates is directly observed. In addition, the evaporation method is used to adjust the relationship between the formation of fine particles of compound crystals and the composition and structure of the formation nuclei. The growth of MBE is closely related to the development of MBE. In particular, the MBE growth of GaAs depends on the evaporation rate of Ga atoms, and the supersaturation at the end of GaAs depends on the temperature. In recent years,MBE growth is not in equilibrium. This study shows that MBE growth is in equilibrium. Crystal surface atomic structure is not affected by growth. The relationship between crystallization and growth is regulated. The formation of crystal nuclei is the first step. The degree of supercooling is different from that of water. As a result, when the supercooling is low, the surface is flat, and when it is large, the surface is flat. Jackson's theory is good.
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Tanaka,T.Suzuki,T.Nishinaga: "Surface diffusian of Al and Ga atoms an GaAs(001) and (111)B Vicinal Surface in molecular beam epitaxy" J.Crystal Growth. 111. 168-172 (1991)
M.Tanaka、T.Suzuki、T.Nishinaga:“分子束外延中 Al 和 Ga 原子的表面扩散以及 GaAs(001) 和 (111)B 邻位表面”J.Crystal Growth。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Suzuki,I.Ichimura,T.Nishinaga: "Dependence of Ga desorption rate upon the step density in molecular beam epitaxy of GaAs" Japan.J.Appl.Phys.30. L1612-L1615 (1991)
T.Suzuki、I.Ichimura、T.Nishinaga:“GaAs 分子束外延中 Ga 解吸速率对阶梯密度的依赖性”Japan.J.Appl.Phys.30。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Suzuki,T.Nishinaga: "Surface diffusion and atom incorporation Rinetics in MBE of In GaAs and AlGaAs" J.Crystal Growth. 111. 173-177 (1991)
T.Suzuki、T.Nishinaga:“In GaAs 和 AlGaAs MBE 中的表面扩散和原子结合动力学”J.Crystal Growth。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Nishinaga,T.Suzuki: "The role of step Rinetics in MBE of Compound Semiconductors" J.Crystal Growth. 115. 398-405 (1991)
T.Nishinaga、T.Suzuki:“步骤 Rinetics 在化合物半导体 MBE 中的作用”J.Crystal Growth。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
西永 頌: "MBE成長における核形成とステップカイネティクス" 日本結晶成長学会誌. (1992)
Sho Nishinaga:“MBE 生长中的成核和阶跃动力学”日本晶体生长学会杂志(1992 年)
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