表面変性エピタクシー

表面改性外延

• 批准号: 04227104
• 负责人: 高柳 邦夫
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227104/
• 关键词: 表面変性エピタクシー; シリコン表面の成長

Si(111)7x7表面にSnを原子層付着させ、表面を√3×√3構造に代えて、その上にSiを蒸着させたときの成長過程を超高真空・高分解能電子顕微鏡法で"その場"観察した。基板温度を変えたときの成長の記録から、ステップの間隔とステップ成長速度、ならびに核形成の有無や核密度の関係を調べた。それらの成長を理論的に解析し、変性エピタクシーの機構を論じた。変性エピタクシーで、Siの島成長が抑えられる理由は、Si原子の臨界核サイズが大きくなるためであることが分かった。臨界核サイズが大きくなる物理的理由は、変性エピタクシーではSi表面を覆う金属膜中の金属原子とその上に核形成した蒸着Si原子とが位置の組み替えを行なうが、その際の金属原子が表面の最上層に偏析する過程で相当の活性化エネルギーが必要とされるためではないかと推定している。

Si(111)7 x 7 surface Sn atomic layer deposition, surface 3 x 3 structure generation, Si evaporation and growth process, ultra-high vacuum, high resolution energy electron microscopy "field" observation. The relationship between the growth rate, the growth interval and the nuclear density of the substrate was adjusted. The analysis of the theory of growth and the discussion of the mechanism of development The reason why the growth of the Si island has been suppressed is that the critical core of the Si atom has become too large. The physical reason for critical nuclei is that the metal atoms in the coating metal film on the Si surface are formed on the Si surface, and the Si atoms are evaporated. The position of the Si atoms is changed. The metal atoms on the surface are separated from each other. The process of activation is necessary.

项目成果

A.Shibata,Y..Tanishiro,K.Takayanagi: "Si(111)√3×√3-Au growing on a 7×7 surface" Surface Sci.273. L430-L434 (1992)

A. Shibata、Y. Tanishiro、K. Takayanagi：“Si(111)√3×√3-Au 在 7×7 表面上生长”Surface Sci.273 (1992)。

S.Iwanari;K.Takayanagi: "Surfactant Epitaxy of Si on Si(111)Mediated by Sn" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1978-L1981 (1991)

S.Iwanari；K.Takayanagi：“Sn 介导的 Si 在 Si(111) 上的表面活性剂外延”Jpn.J.Appl.Phys.30。

S.Iwanari,Y.Kimura,K.Takayanagi: "Surfactant epitaxy of Si on Si(111) surface mediated by a Sn layer II." J.Cryst Growth. 119. 241-247 (1992)

S.Iwanari、Y.Kimura、K.Takayanagi：“由 Sn 层 II 介导的 Si 在 Si(111) 表面上的表面活性剂外延。”

A.Shibata,Y.Kimura,K.Tarayanagi: "On the restructured Layer of the si(111)√3×√3-Ag structure studied by scanning tunneling microscopy" Surface Sci.Lett.275. L697-L701 (1992)

A. Shibata、Y. Kimura、K. Tarayanagi：“通过扫描隧道显微镜研究 si(111)√3×√3-Ag 结构的重构层”Surface Sci.Lett.275 (1992)。

T.Nakayama,Y.Tanishiro,K.Takayanagi: "Heterogrowth of Ge on Si(001)2×1 reconstructed surface" Surface Sci.273. 9-20 (1992)

T.Nakayama、Y.Tanishiro、K.Takayanagi：“Ge 在 Si(001)2×1 重建表面上的异质生长”Surface Sci.273 (1992)。