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表面変性エピタクシ-

表面改性外延

基本信息

批准号：
03243212
负责人：
高柳邦夫
金额：
$ 2.05万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

シリコン(111)表面に錫(Sn)を一原子層蒸着した表面と、清浄なシリコン(Si)表面について、Siのホモエピタクシャル成長の過程を超高真空・高分解能電子顕微鏡を用いて"その場"観察した。表面に一定の間隔でステップがあるとき(すなわち微斜面)、このステップ間隔λと基板温度を変えて成長過程の関連を調ベた。あるλの表面では、基板温度Tが低いと島成長が起こり、温度が高いとステップ成長(step flow)が起こる。また、一定の基板温度では、λが長くなるとステップ成長から島成長に変わる。この臨界のステップ間隔を"臨界ステップ間隔"λcと定義した。このλcが、Snをつけた表面では清浄なSi表面にくらべて数倍長くなる事を見いだした。λcとTの関係を求め、それから成長過程の解析を行なった。解折は、ステップ成長に関する古典的なBCF理論と、島成長の関する原子論と言われるWaltonの理論を用いて行なった。その結果、Snでおおわれた表面(同じ基板温度)でλcが長くなることは、島成長の過程に必要な臨界核の形成が抑えられるためで、臨界核の大きさも清浄なSi表面では1原子であるのに対し、Snでおおわれた表面では3原子程度の大きさとなっていることが示された。成長過程のその場観察から、Snでおおわれた表面では、Si原子がその上に付着してもSnが表面に偏析することが顕微鏡観察から分かった。臨界核が大きいのも、偏析に要する活性化エネルギ-と連すると推察されるが、島形成の過程はまだ具体的に分かっていない。

Tin (Sn) on the surface of silicon (Si) is evaporated into an atomic layer. The growth process of silicon on the surface of silicon (Si) is observed by ultra-high vacuum and high resolution electron micromirrors. The relationship between the temperature of the substrate and the growth process is adjusted. The temperature of the substrate T is flow and the island growth is high. For a given substrate temperature, the growth of the substrate will be delayed. The definition of "critical space" The surface of Si is several times longer than that of Si.λc T The classical BCF theory, the atomic theory and the Walton theory are applied to the analysis of the relationship between growth and development. As a result, Sn The growth process is observed by field observation, and the surface of Sn is observed by microscopic observation. The critical nuclei are separated from each other in a specific way.