权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

弾性歪・界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的・実験的解析-2

弹性应变/界面应变约束系统外延生长机制的理论与实验分析-2

基本信息

批准号：
04227225
负责人：
伊藤太一郎
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

(110)SrTiO_3基板上での(115)Bi_2Sr_2CuOxエピタキシャル膜の方位分布の異方性について研究した。基板加熱なしでスパッタ法によって、Bi_2Sr_2CuOx膜を成膜した。成膜条件をかえても常にアモルファス状態であった。これを820℃真空中でアニールすることによって固相反応を利用してエピタキシャル膜とすることを試みた。主として通常のX線回析とω法によって構造的評価を行なった。まず、オフ角なしの(110)SrTiO_3基板上では(115)film〓(110)sub〔110〕film〓〔001〕subと(115)film〓(110)sub〔110〕film〓〔001〕subの関係を満すダブルドメイン構造をとることが判明した。一方、(110)から1.6ﾟオフ角を持つオフ基板上では、ω法によると(115)回析線は4.8ﾟの半価巾を有し鋭いピークと肩を有していることが判明した。解析の結果、基板の〔110〕subに対して51.4℃軸がかたむいた粒が鋭いピークを形成し、48.4ﾟかたむいた粒が肩の部分に対応することになった。格子のミスマッチは基板の〔T10〕subに5.5%、〔001〕subに-2.8%と異方性を持つ。前述の2種類の粒は〔001〕subのまわりにミスマッチの大きい方向に異ったかたむきを持つことになる。基板と薄膜の界面を含む断面の原子配列をみてみると、ミスマッチを緩和することのみを考えると(116)が成長することになるが、界面に接する原子密度が小さく、多数の原子が大きな距離を移動する必要があり格子エネルギーを増加させることになる。(115)の場合界面に接する原子の密度も高く、原子の移動量も少くてすむ。したがって、大きなミスマッチ(異方性のある)の緩和は界面における歪エネルギーと格子エネルギーの競合する中で系全体のエネルギーを最小にするように進行することになる。

(110) Research on the anisotropy of the azimuthal distribution of the Bi_2Sr_2CuOx film on the SrTiO_3 substrate. The substrate heating method was used to form the Bi_2Sr_2CuOx film. The film formation conditions are the same as the normal conditions. Use the してエピタキシャル film とすることを to test the これを820℃ vacuum solid phase でアニールすることによって solid phase. The main subject is the evaluation of the structure of the usual X-ray analysis and ω method.まず、オフ角なしの(110)SrTiO_3 substrate では(115)film〓(110)sub〔110〕film〓〔001〕subと(115)film〓(110)sub〔110〕film〓〔001〕subのrelationsを満すダブルドメインstructuralをとることが明明した. One side, (110) から1.6ﾟオフ角をholding つオフ on the substrate では, ω method によると (11 5) The analysis line is 4.8ﾟの半価を有しいピークとshoulderを有していることが and it is clear. Analysis results, substrate の〔110〕subに対して51.4℃axis がかたむいた片が鋭いピークを成し、48.4ﾟかたむいた片がshoulderのpartに対応することになった. Grid のミスマッチは substrate の〔T10〕subに5.5%,〔001〕subに-2.8% and anisotropy are maintained. The aforementioned 2 types of の片は〔001〕subのまわりにミスマッチの大きいdirectional にdifferent ったかたむきをhold つことになる. The interface between the substrate and the film contains the atomic arrangement of the cross section and the atomic arrangementすをeasing することのみを考えると(116)がgrowing することになるが、The interface is connected and the atomic density is small and the distance is largeをMove するNecessary がありlattice エネルギーを Increase させることになる. In the case of (115), the interface is connected because the density of atoms is high and the amount of movement of atoms is small.したがって、大ななミスマッチ(heterotropic のある)のeasing interface におけるskew エネルギーとThe sub-エネルギーの合合する中で线 all the small ones are the smallest ones.