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弾性歪,界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的,実験的解析

弹性应变和界面应变约束系统中外延生长机制的理论和实验分析

基本信息

批准号：
03243226
负责人：
伊藤太一郎
金额：
$ 2.62万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

Sp^3混成軌道を有しボンドエネルギ-が12eVと大きなZnOの界面での拘束を把握するために,まずエピタキシ-の影響のないガラス基板上で薄膜自身の配向性(SelfーTexture)を評価した。界面での拘束がないために配向する面(基板に対して平行な面)は表面自由エネルギ-の小さい方が有利である,計算によって(0001)に対して0.099ev/A^2,(11_20)に対して0.123eV/A^2,(10_10)に対して0.209eV/A^2となり,平衡状態でエピタキシ-の影響がなければ(0001)が優先配当することになる。実際平衡状態で(0001)が,非平衡状態を制御することによってSelfーTextureを(0001),(11_20),(10_10)と変化させることに成功した。これらの結果をもとに,エピタキシャル方位が[0001]であるが,ミスフィットが18%と大きな(0001)サフアイア基板上でガラス上の(0001)配向膜を得るのと同じ条件で良好なエピタキシャル膜が得られたが,界面の拘束力を成長層の方位分布で緩和する成長モ-ドと格子定数分布で緩和する成長モ-ドの2種類あることを見い出した。一方,(0001)以外の方位を有するZnOエピタキシャル膜を得るにはガラス基板上で(0001)以外の配向を得る条件であることを見い出し,新たに(100)MgO上で(10_10)エピタキシャル膜を得ることに成功した。また,ZnOは(0001)以外の単結晶膜では弾性定数の面内異方性によって成長中の応力緩和機構に異方性が生ずる。これらの界面拘束の異方性を応力の測定によって評価した。結合に方向性がなく強いイオン結合性を有するLiNbO_3は基板からの拘束力を受けやすいためにZnOなどと比べてエピタキシャル成長させることは比較的容易であるが,その方位を変化させるのは容易でない。今回,界面エネルギ-とアニオン/カチオン比を考慮することによって,方位制御を可能にした。

Sp ^ 3 mixed channels have the characteristics of self-orientation texture (self-orientation texture) on the substrate. The interface of 12eV is large ZnO interface constraints grasp the orientation of film itself. Interface constraints alignment plane (substrate parallel) Surface Freedom-small side advantage, calculate 0.099ev/ A ^ 2, (11-20) 0.123eV/ A ^ 2, (10-10) 0.209eV/ A ^ 2 Balance status: please do not know what to do (0001). First, you should match the situation first. International balance State (0001), non-equilibrium State Control (Self) Texture (0001), (11) 20), (10) balance (10). The results show that the location of the film is the same as that of the film on the substrate (0001). The results show that the orientation of the film is the same as that of the film on the substrate (0001). The results show that the orientation of the film is the same as that of the film in the same condition. The interface binding force is divided into the long-term azimuth distribution and the growth-growth lattice fixed-number distribution and the growth-growth lattice distribution. On one side, outside the direction of (0001), there is a "ZnO" on the substrate "(0001)" other than the "alignment" condition "on the substrate" (100), the new "MgO" (1010) "the film" gets the "success". In addition to ZnO (0001), the growth of the crystal film is dependent on the growth of the crystal film and the mechanism. The interface is constrained and the force is measured. Combined with the combination of directional stress and stress, the binding force of the LiNbO_3 substrate is easier to be affected than that of the growth and growth of the substrate, and the orientation of the substrate is easy to be affected. This time, the interface is full of errors, and the orientation control may be difficult.